工作频率范围：17.7 GHz 至 19.7 GHz
　　增益典型值：30 dB
　　饱和输出功率（Psat）：+30 dBm（典型）
　　小信号增益：≥ 28 dB
　　输入VSWR：≤ 2.0:1
　　输出VSWR：≤ 2.0:1
　　供电电压（Vd）：+5 V 或 +7 V（取决于配置）
　　静态工作电流（Id）：约 250 mA（待机模式）
　　最大工作电流：约 650 mA（满功率输出）
　　输入三阶交调截点（IIP3）：+15 dBm（典型）
　　输出三阶交调截点（OIP3）：+45 dBm（典型）
　　噪声系数：≤ 3.5 dB
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：表面贴装陶瓷封装（如 3 mm × 3 mm LGA 或类似）

TDB1030射频功率放大器模块具备卓越的高频性能与稳定性，其核心优势在于在Ku波段内实现了高增益与高输出功率的完美结合。该器件在17.7 GHz至19.7 GHz频段内表现出色，增益典型值达到30 dB，且在整个带宽内具有优异的平坦度，波动小于±0.5 dB，这使得系统设计无需额外的均衡电路即可满足严格的信号完整性要求。其饱和输出功率高达+30 dBm，能够驱动后续的天线或传输线路，在长距离微波通信中提供足够的链路预算。更重要的是，TDB1030在高功率输出状态下仍能保持良好的线性度，三阶交调失真（IMD3）低于-30 dBc，确保在复杂调制格式（如64-QAM或256-QAM）下的信号质量不受影响，满足现代宽带无线接入系统的严苛标准。
　　该模块采用了集成化的定向耦合器设计，可用于实时监测前向与反射功率，配合外接检波器实现自动电平控制（ALC）功能，有效防止因负载失配导致的器件损坏，并提升系统动态调节能力。内置的温度补偿电路可在-40°C至+85°C的宽温范围内自动调整偏置点，避免传统放大器常见的“热失控”问题，显著增强长期运行的可靠性。此外，TDB1030具备快速开关控制功能，可通过使能引脚实现纳秒级的通断响应，适用于时分双工（TDD）系统中的突发模式操作。其低噪声系数（≤3.5 dB）也使其适合用作上变频链路的最后一级放大器，最大限度地抑制噪声叠加对信噪比的影响。所有这些特性共同构成了一个高度可靠、易于集成且适应性强的射频前端解决方案。

TDB1030广泛应用于需要高线性度和稳定输出功率的微波通信系统中，尤其适用于工作在Ku波段的点对点和点对多点无线回传网络。在小型蜂窝基站（Small Cell Base Stations）和企业级无线接入点中，TDB1030常被用于构建毫米波前传或回程链路，支持高速数据传输，满足5G网络部署中对低延迟和高带宽的需求。此外，该器件也适用于卫星通信地面站的上行链路发射模块，凭借其高输出功率和良好的频谱纯净度，能够有效克服大气衰减并实现远距离信号传输。在军用和航空航天领域，TDB1030可用于战术通信系统、无人机数据链以及电子战设备中的射频发射通道，其坚固的陶瓷封装和宽温工作能力确保在恶劣环境下依然稳定运行。测试与测量设备制造商也将其集成于信号发生器或频谱分析仪的输出级，以扩展仪器在高频段的驱动能力。同时，该芯片还适用于宽带固定无线接入（FWA）系统、智能交通系统的远程雷达单元以及工业物联网中的高速无线桥接设备，展现出极强的应用通用性和系统兼容性。

TGA2576-SM
　　TQM9M9057
　　CGY2103-E2B