时间：2025/7/23 21:14:59
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TDA02H0SB1R是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率双极型晶体管（BJT），主要用于高功率放大器和开关电路中。该器件采用TO-220封装形式，具有良好的热稳定性和可靠性。TDA02H0SB1R能够在高电压和高电流条件下运行，适用于需要高效能和高稳定性的应用场景。
类型：NPN型功率晶体管
最大集电极-发射极电压：100V
最大集电极电流：3A
最大功耗：30W
工作温度范围：-55°C至+150°C
增益带宽积：5MHz
封装类型：TO-220
TDA02H0SB1R具有出色的热稳定性和高可靠性，适合在高功率应用中使用。其NPN结构提供了良好的电流放大能力，使其适用于需要高增益和高效率的电路设计。该晶体管能够在高温环境下稳定工作，确保了长时间运行的可靠性。此外，TDA02H0SB1R的TO-220封装形式有助于散热，提高了器件的热管理性能。
TDA02H0SB1R的最大集电极-发射极电压为100V，最大集电极电流为3A，最大功耗为30W，能够在较宽的工作温度范围内（-55°C至+150°C）正常工作。其增益带宽积为5MHz，提供了良好的高频响应能力。这些参数使得TDA02H0SB1R在高功率放大器和开关电路中表现出色。
TDA02H0SB1R广泛应用于高功率放大器、音频放大器、开关电源、电机驱动电路、工业控制系统以及汽车电子系统中。其高功率处理能力和良好的热稳定性使其成为这些应用中的理想选择。
TDA02H0SB1R的替代型号包括TIP31C、BD139和2N5190等。
