时间：2025/5/29 16:08:59
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TD817B1M-FGV 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关特性方面表现出色，能够有效降低系统能耗并提高效率。
这款 MOSFET 的封装形式为 DPAK（TO-263），具有良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：1.2mΩ（典型值）
栅极电荷：50nC（典型值）
输入电容：2200pF（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
TD817B1M-FGV 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可显著减少传导损耗，从而提升整体效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，有助于减小磁性元件体积。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 内置反向恢复二极管，优化了同步整流电路中的表现。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 采用 TO-263 封装，便于安装与散热设计。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流开关。
2. DC-DC 转换器中作为高端或低端开关。
3. 电机驱动中的 H 桥或半桥配置。
4. 各类负载切换及保护电路。
5. 工业设备和汽车电子系统的功率管理模块。
IRF3710,
STP40NF06,
FDP5500,
IXYS IXTH40N06L
