时间：2025/7/12 11:10:01
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TD816C-G是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和稳定性。
该芯片封装形式为TO-220，适用于大电流、高电压的工作环境，同时具备出色的散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：45A
导通电阻：2.5mΩ
开关时间：ton=9ns，toff=15ns
结温范围：-55℃至150℃
1. 低导通电阻（2.5mΩ），有效降低功耗。
2. 快速开关特性，适合高频应用场合。
3. 高电流承载能力（45A），可满足多种功率需求。
4. 优异的热稳定性和可靠性，支持长时间连续运行。
5. 封装结构紧凑，易于安装和使用。
6. 提供过流保护和短路保护功能，提升系统安全性。
1. 开关电源设计中的功率转换模块。
2. 各类电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机等。
3. 逆变器及不间断电源（UPS）的核心功率元件。
4. 大功率LED驱动器中的关键组件。
5. 工业自动化设备中的功率控制单元。
IRFZ44N, FDP55N06L
