时间：2025/7/12 12:07:20
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TD814B1SLT1-GV是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，适用于高频、高压和大功率应用场景。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）设计，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻特性。其封装形式为表面贴装型（SMD），非常适合需要紧凑设计的电力电子设备。
这款GaN晶体管具有出色的热特性和可靠性，在高频DC-DC转换器、图腾柱PFC电路以及无线充电等应用中表现尤为突出。与传统的硅基MOSFET相比，TD814B1SLT1-GV能够在更高的频率下运行，同时保持较低的开关损耗和导通损耗。
额定电压：650 V
额定电流：12 A
导通电阻：90 mΩ
栅极电荷：35 nC
输入电容：1050 pF
最大工作温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃
封装类型：LFPAK88
1. 基于先进的GaN技术，支持高频开关操作，显著降低开关损耗。
2. 超低导通电阻（Rds(on)），减少传导损耗并提升系统效率。
3. 高速开关能力，适合高频应用环境。
4. 小型化表面贴装封装（LFPAK88），便于集成到紧凑型设计中。
5. 宽温工作范围，适应多种严苛的工作条件。
6. 内置ESD保护功能，提高整体系统的可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的高频DC-DC转换器。
2. 图腾柱无桥PFC电路，用于提高功率因数校正效率。
3. 无线充电发射端及接收端功率级设计。
4. 快速充电适配器，满足高效功率传输需求。
5. 电机驱动控制器，实现高效能量转换。
6. 工业自动化设备中的功率模块应用。
GXT65R070E,
TGPA65U070W,
EPC2038
