时间：2025/7/10 8:10:07
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TD814(SL)(T1)-G(B)是一种用于功率管理的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其设计优化了导通电阻和开关速度，适合高频应用环境。
该型号属于工业级或汽车级产品线，具有较高的可靠性和稳定性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：5mΩ
总栅极电荷：35nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速开关特性，能够适应高频电路需求。
3. 高浪涌电流能力，增强了器件在瞬态条件下的耐用性。
4. 采用DPAK封装形式，具备良好的散热性能。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 耐热增强设计，适用于恶劣的工作环境。
7. 高可靠性设计，确保长期稳定运行。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 汽车电子系统中的负载开关。
4. 工业控制设备中的电机驱动。
5. 电池管理系统中的保护电路。
6. LED驱动器中的功率开关。
7. 各类需要高效功率管理的应用场景。
IRF540N, FQP50N06L, AO3400A
