时间：2025/7/4 5:12:18
阅读：13
TD6N137SLT1-GV 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝公司生产。该器件属于 N 沱型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效能开关和低导通电阻的场景中。其采用了先进的封装技术，能够有效降低热阻并提高散热性能。此器件适用于高频率开关应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器等。此外，它具备良好的电气特性和可靠性，非常适合要求严格的工业级应用。
该型号中的“TD6N137”表示其为东芝标准系列 N 沱型 MOSFET，“SLT1”表明其封装类型，而“GV”则表示经过改进后的版本，具有更优的电气性能和更高的稳定性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：12A
栅极电荷：8nC
输入电容：980pF
输出电容：150pF
RDS(on)（导通电阻）：6mΩ
总功耗：24W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够显著减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用场景，有助于减小滤波元件体积。
3. 高电流承载能力，支持高达 12A 的连续漏极电流。
4. 改进的封装设计，增强了散热性能，确保长时间稳定运行。
5. 较宽的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
6. 内置保护机制，包括过流保护和短路保护，提升了产品的可靠性和安全性。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的高效能开关元件。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的功率转换与控制模块。
4. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统中的功率管理单元。
5. 各类电子负载和电池充电电路中的关键功率器件。
6. 汽车电子系统中的电源管理和驱动组件。
IRF540N
STP12NF06L
FQP13N06L
