类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据不同等级）
　　封装类型：TO-92

TD55APN是一款高性能的NPN型晶体管，具有良好的高频响应能力，适用于射频（RF）和中频（IF）放大器设计。其高电流增益（hFE）使其在信号放大和开关应用中表现出色。晶体管的低饱和压降（Vce_sat）有助于降低功耗，提高系统的能效。此外，TD55APN具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行，适用于严苛的工业和消费电子环境。该晶体管采用TO-92封装，便于安装和散热，适用于通孔插装（Through-Hole）工艺，具有良好的机械稳定性和电气性能。
　　该晶体管的设计考虑了可靠性和稳定性，在高频应用中仍能保持较低的失真和噪声。其多用途特性使其成为放大器、振荡器、开关电路以及传感器接口电路的理想选择。TD55APN的制造工艺符合国际标准，确保了长期使用的稳定性和一致性。

TD55APN广泛应用于消费电子、工业控制和通信系统中的高频放大和开关电路。例如，它可用于音频放大器前置级、射频信号放大器、振荡器、数字逻辑开关、传感器信号调理电路以及电源管理模块。由于其良好的高频特性和高增益表现，该晶体管也常用于无线通信设备中的信号处理和调制电路。此外，TD55APN适用于需要中等功率处理能力的电子设备，如电源适配器、电机驱动电路和继电器控制模块等。

BC547, 2N3904, PN2222