TD501D232H 时间：2025/4/30 18:37:05 阅读：8

TD501D232H 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
　　TD501D232H 常用于直流电机驱动、负载开关、电源管理、逆变器和其他需要高效开关性能的场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源极电压(Vds)：60V
　　最大栅源极电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：94A
　　导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ
　　总功耗(Ptot)：175W
　　结温范围(Tj)：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247-3

特性

1. 极低的导通电阻，能够显著减少传导损耗，提升整体效率。
　　2. 高击穿电压和大电流能力，适合各种高功率应用。
　　3. 快速开关特性，减少开关损耗，并支持高频操作。
　　4. 强大的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
　　5. 封装设计坚固耐用，便于散热管理，确保长时间稳定工作。
　　6. 具备良好的抗静电能力(ESD)，提高了产品的可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
　　2. 电动工具及家用电器中的直流电机控制。
　　3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)与逆变器。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
　　5. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关产品。
　　6. 数据中心服务器电源模块中的高效功率转换解决方案。