型号：TD2764A-4
　　存储容量：64Kbit (8K × 8)
　　组织结构：8192 × 8
　　供电电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：45ns（典型值）
　　工作电流：≤ 35mA（最大）
　　待机电流：≤ 100μA（典型）
　　输入电平：TTL兼容
　　封装形式：28-DIP, 28-SOIC
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　读写控制信号：CE, OE, WE
　　数据总线宽度：8位
　　地址总线宽度：13位（A0-A12）

TD2764A-4采用先进的CMOS制造工艺，具备出色的低功耗性能，尤其在待机或非活动状态下能够显著降低系统能耗。其静态电流极低，在待机模式下仅消耗约100微安，非常适合对电源效率有要求的应用场景。同时，该芯片在全速运行时仍能保持稳定的电流表现，最大工作电流不超过35mA，有助于提升整个系统的热管理能力与可靠性。CMOS技术还赋予其良好的抗噪声能力和高噪声容限，能够在电磁干扰较强的工业环境中稳定工作。
　　该器件提供45ns的快速访问时间，确保了在高速微处理器系统中实现无等待的数据交换。对于需要频繁读写操作的应用，如实时控制系统或数据缓冲，这种响应速度可以有效避免瓶颈问题。其异步接口设计简化了与传统CPU或MCU的连接，无需复杂的时序配置即可实现即插即用。片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）三线控制逻辑使得读写操作更加灵活，支持字节级别的精确访问，并可通过地址锁存机制实现高效的内存寻址。
　　TD2764A-4具备高可靠性和长寿命特性，所有器件均经过严格的老化测试和质量筛选，保证在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内长期稳定运行。其封装采用标准28引脚设计，兼容主流贴片与通孔焊接工艺，方便批量生产和维修更换。此外，该芯片具有良好的ESD防护能力（典型HBM模型≥2kV），增强了在生产装配和现场使用中的鲁棒性。内置的防闩锁（Latch-up）设计进一步提升了其在电压波动或瞬态干扰下的安全性，防止因异常电流路径导致器件损坏。
　　值得一提的是，TD2764A-4的设计遵循工业标准SRAM协议，引脚排列与市面上多数同类产品（如IS61C64AL-45LI、CY7C199-45JC等）高度兼容，便于系统升级或替代选型。其TTL电平输入兼容性降低了外部电平转换电路的需求，节省了PCB空间和成本。整体而言，这款SRAM芯片在性能、功耗、稳定性和兼容性之间取得了良好平衡，是许多经典嵌入式系统中值得信赖的存储解决方案。

TD2764A-4广泛应用于各类需要高速、稳定、低功耗静态存储器的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和远程I/O模块中作为数据缓存或程序暂存区，支持实时数据采集与处理任务。在通信基础设施中，该芯片可用于路由器、交换机和基站设备中的帧缓冲、协议解析临时存储等用途，保障信息传输的连续性与准确性。
　　在医疗设备方面，TD2764A-4被应用于监护仪、超声成像系统和便携式诊断设备中，用于存储传感器采集的原始数据或中间运算结果，其高可靠性和宽温特性确保了在复杂环境下数据不丢失。在测试与测量仪器如示波器、频谱分析仪中，该SRAM常作为采样数据的高速暂存区，配合ADC/DAC实现高效信号处理流程。
　　此外，TD2764A-4也常见于老旧设备的维护与替换市场，尤其是在军工、航空航天和铁路信号系统中，许多仍在服役的设备依赖此类成熟稳定的SRAM进行功能维持。由于其引脚兼容性强，也可用于替代其他品牌同规格器件，降低供应链风险。教育实验平台和单片机开发板有时也会选用该型号，帮助学生理解SRAM工作原理及总线时序控制机制。总之，只要系统需要一个简单、可靠、无需刷新的64Kbit并行SRAM，TD2764A-4就是一个理想选择。

IS61C64AL-45LI,CY7C199-45JC,AS6C6416-45BIN,MB8464A-45L