时间：2025/10/29 10:06:50
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TD2764是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电路以及功率转换系统中。该器件以其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性而著称，适合在高效率的DC-DC转换器、电机驱动、电池供电设备及工业控制系统中使用。TD2764采用先进的沟槽栅极技术制造，能够在较小的封装内实现优异的电气性能，同时具备较强的抗雪崩能力和过载保护特性，提升了系统的可靠性与安全性。该MOSFET通常用于替代传统双极型晶体管或继电器，在需要快速开关响应和低功耗运行的应用场景中表现尤为出色。其设计优化了栅极电荷和输出电容，有助于降低开关损耗，提高整体能效。此外，TD2764具有良好的温度稳定性和长期工作耐久性，适用于宽温范围环境下的持续运行。由于其出色的性价比和稳定的供货能力，TD2764被广泛应用于消费电子、家用电器、通信设备以及汽车电子等领域。
型号：TD2764
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：14A
脉冲漏极电流（Idm）：56A
导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=10V, Id=7A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：1900pF @ Vds=25V
输出电容（Coss）：600pF @ Vds=25V
反向恢复时间（trr）：30ns
最大功耗（Ptot）：50W
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220FP
TD2764具备出色的电气特性和热管理能力，使其在多种功率应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率，尤其在大电流负载条件下优势明显。该器件采用了先进的沟槽栅结构，有效减小了单位面积内的导通电阻，同时增强了电流处理能力。高开关速度得益于较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），使得在高频开关应用中能够减少开关延迟和能量损耗，适用于高达数百kHz的PWM控制场景。
该MOSFET具有良好的热稳定性，TO-220FP封装提供了优良的散热性能，可在高温环境下长时间稳定运行。器件内部经过优化设计，具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压或感性负载关断时提供一定的自我保护功能，从而提升系统鲁棒性。此外，TD2764对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，减少了因操作不当导致的损坏风险。
其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的逻辑电平驱动信号，便于与微控制器、驱动IC等配合使用。在电机驱动应用中，TD2764能够承受反复的启停冲击和反电动势影响，确保运行可靠。同时，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。总体而言，TD2764是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和成本均有要求的设计方案。
TD2764广泛应用于各类中高功率电子系统中，典型用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动模块、逆变器、LED照明驱动电源以及家用电器中的功率控制单元。在电动车控制器、无人机电调、工业自动化设备中也常作为主开关元件使用。此外，它还可用于过流保护电路、热插拔控制器和电源多路复用设计中，发挥其快速响应和低损耗的优势。由于其良好的封装兼容性，可直接替换市场上其他同类TO-220封装MOSFET，便于产品升级与维护。
STP14NF60, FQP14N60, IRFZ44N
