时间：2025/3/28 14:24:24
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TD1B25HPP-C 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换等应用。该芯片采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，从而提高了系统的效率和可靠性。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，其设计旨在满足工业级应用对功率密度和散热性能的需求。通过优化沟道结构和封装技术，TD1B25HPP-C 在高频开关条件下表现出优异的动态性能。
最大漏源电压：100V
最大漏极电流：25A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1800pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻设计，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高电流处理能力，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度，适合高频操作环境。
4. 优秀的热稳定性，在极端温度条件下依然保持可靠的性能。
5. 小型化封装，便于系统集成与布局优化。
6. 内置静电防护功能，增强了器件的鲁棒性。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机控制和驱动电路。
3. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
4. 高效 DC-DC 转换器的核心功率器件。
5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
6. 各类需要高功率密度和高效率的电子设备。
IRFZ44N
STP25NF06L
FDP5800
