电容值：47μF
　　额定电压：6.3V DC
　　容差：±20%
　　ESR（等效串联电阻）：最大 80 mΩ（典型值在 100 kHz 下测量）
　　工作温度范围：-55°C 至 +105°C
　　寿命：在额定电压与 +105°C 环境下可稳定运行至少 2000 小时
　　极性：有极性元件，需注意正负极连接
　　封装/尺寸：A 型壳号（约 3.2 mm × 1.6 mm × 1.6 mm），符合 EIA 标准
　　端接方式：表面贴装技术（SMT）
　　材料构成：阳极采用高纯度钽粉烧结体，介电层为五氧化二钽（Ta?O?），阴极为导电聚合物（如 PEDOT）
　　测试条件：漏电流在施加额定电压 2 分钟后不超过规定限值（通常小于 0.01×CV 或 10 μA）

TCTAS0J476M8R 钽电容器采用先进的导电聚合物电解质技术，相较于传统二氧化锰体系的钽电容，具备显著更低的等效串联电阻（ESR），通常可低至 80 mΩ 以下，在高频开关电源环境中能有效减少发热并提升系统效率。这种低 ESR 特性使得它非常适合用于现代高速数字电路中的去耦和滤波应用，例如为 FPGA、ASIC 和微处理器提供稳定的供电路径。此外，由于使用了聚合物作为阴极材料，该器件展现出更高的纹波电流承受能力，能够在持续高负载条件下保持性能稳定，延长使用寿命。
　　该电容器具有优异的频率响应特性，在宽频范围内保持较低阻抗，有助于抑制噪声和电压波动。其结构设计优化了内部电极布局，减少了寄生电感，进一步增强了高频性能。同时，得益于固态电解质的存在，该器件无液体泄漏风险，机械强度更高，抗震性能良好，适合严苛环境下的应用。在温度适应性方面，TCTAS0J476M8R 能在 -55°C 到 +105°C 的极端温区内正常工作，确保在高低温交替环境下仍维持电参数稳定，不会出现明显的容量衰减或 ESR 上升现象。
　　可靠性方面，该器件通过了 AEC-Q200 等多项工业级认证，适用于对安全性和耐久性要求较高的应用场景。制造过程中采用自动化精密压制与烧结工艺，保证每批次产品的一致性。此外，其表面贴装封装形式兼容回流焊工艺，适用于现代化 SMT 生产线，提高了组装效率和良率。尽管为有极性元件，但在正确安装的前提下，可实现长达 2000 小时以上的连续运行寿命，尤其在降额使用时寿命更长。总体而言，TCTAS0J476M8R 结合了高性能、小型化与高可靠性，是替代传统铝电解电容的理想选择之一。

TCTAS0J476M8R 主要应用于需要高稳定性、低噪声电源管理的电子系统中。常见于移动通信设备，如智能手机和平板电脑的电源模块，用于 CPU 和 GPU 供电网络的旁路与去耦，以确保核心芯片在动态负载变化下获得平稳电压。在笔记本电脑和超极本的主板设计中，该电容器常被用作内存控制器、南桥芯片及 PCIe 接口的滤波元件，有效降低电磁干扰并提高信号完整性。
　　在工业控制领域，该器件适用于 PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）以及嵌入式工控机等设备的直流稳压电源输出端，帮助平滑整流后的电压波动，提升系统的抗干扰能力。其高纹波电流处理能力和良好的热稳定性也使其成为医疗电子设备中电源单元的重要组成部分，特别是在便携式监护仪和超声成像前端电路中发挥关键作用。
　　此外，该电容器还广泛用于汽车电子系统，包括车载信息娱乐主机、ADAS（高级驾驶辅助系统）传感器模块和车身控制模块。在这些应用中，它不仅需要承受高温环境，还需具备长期运行的可靠性，而 TCTAS0J476M8R 正好满足这些严苛要求。在消费类电子产品如数码相机、智能手表和无线耳机中，其小尺寸和高性能特性支持设备向轻薄化发展。总之，凡是需要高效能、小体积且高可靠性的去耦、滤波或储能功能的场合，TCTAS0J476M8R 都是一个理想的选择。

TCJA476M006R