时间：2025/7/15 20:38:48
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TCPWCH05H06MTR900 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET器件，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）系列，专门用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的封装技术，具备较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及其他需要高效率功率管理的场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5.5A
导通电阻（Rds(on)）：最大6.5mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOP（表面贴装封装）
安装类型：表面贴装
TCPWCH05H06MTR900 MOSFET采用了东芝的先进U-MOS VIII-H工艺，使其在性能和能效方面表现出色。该器件的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），仅为6.5mΩ，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力，在连续漏极电流下可达到5.5A，适用于中高功率应用。
其60V的漏源电压额定值使其适用于多种电源管理场合，例如DC-DC降压或升压转换器、同步整流器以及电池管理系统。此外，该器件的栅源电压范围为±20V，提供了较高的驱动灵活性，并能承受一定的过压应力，增强器件的可靠性。
由于采用了SOP封装技术，TCPWCH05H06MTR900具有较小的封装尺寸，便于在紧凑型电路板设计中使用。同时，其100W的功率耗散能力保证了在较高负载下仍能保持良好的热稳定性。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业级和消费级应用环境。
TCPWCH05H06MTR900 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理模块、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池保护电路以及各种工业和消费类电子产品中的功率控制电路。该器件非常适合需要高效能和高可靠性的电源系统设计。
TPH1R406TDP1, SSM3K14FY, SiSS52DN
