时间：2025/4/27 18:23:28
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TCDT1100G 是一款基于 CMOS 工艺的高速光耦合器，主要用于需要高绝缘性和低传输延迟的应用场景。该器件由一个 GaAs 发光二极管和一个硅光电晶体管组成，能够实现信号在电气隔离条件下的高效传输。
由于其优越的性能，TCDT1100G 广泛应用于工业自动化、通信设备、医疗电子以及其他需要高精度和高可靠性的领域。
型号：TCDT1100G
工作电源电压（Vcc）：4.5V 至 20V
最大输入电流（If）：16mA
集电极-发射极电压（Vce）：70V
最大集电极电流（Ic）：50mA
传播延迟时间（tPLH/tPHL）：1μs（典型值）
共模抑制比（CMR）：25kV/μs（最小值）
绝缘电压：3750Vrms（1 分钟）
工作温度范围：-40°C 至 +100°C
TCDT1100G 具有以下主要特性：
1. 高速响应：其传播延迟时间仅为 1 微秒，适用于对速度要求较高的应用环境。
2. 强大的电气隔离能力：支持高达 3750Vrms 的绝缘电压，确保电路间的高安全性。
3. 稳定性：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能输出。
4. 小封装设计：采用 SO6 封装形式，节省空间，便于 PCB 布局设计。
5. 低噪声干扰：具有良好的共模抑制比，可有效减少外部电磁干扰的影响。
TCDT1100G 可用于多种场合：
1. 工业控制：如 PLC、电机驱动等，提供安全的信号隔离。
2. 数据通信：在网络设备中用作信号隔离元件。
3. 医疗设备：例如监护仪、超声波设备等，保障患者和操作者安全。
4. 消费类电子产品：用于家用电器中的电源管理和信号传输。
5. 逆变器与变频器：在新能源领域，可用于太阳能逆变器和其他电力转换设备中。
TLP281-4, HCPL2631
