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TCC1206COG100J501DT 发布时间 时间:2025/6/28 18:35:29 查看 阅读:4

TCC1206COG100J501DT 是一款陶瓷电容器,属于 C0G (NP0) 类介质材料系列。该型号采用了多层陶瓷技术(MLCC),具有高稳定性和低温度漂移特性,适合用于高频电路、滤波器以及信号耦合等应用。其封装尺寸为 1206 英寸标准封装,具有较高的额定电压和良好的电气性能。
  该电容器主要特点是其容量在宽温度范围内变化极小,因此被广泛应用于对稳定性要求较高的场景中。

参数

型号:TCC1206COG100J501DT
  类型:多层陶瓷电容器(MLCC)
  介质材料:C0G(NP0)
  标称容量:10pF
  容量公差:±1%
  额定电压:50V
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  封装形式:1206英寸
  端子材料:锡铅合金

特性

TCC1206COG100J501DT 使用了 C0G(NP0)类介质材料,这种材料的特点是具有非常高的温度稳定性,其容量在 -55℃ 至 +125℃ 的温度范围内几乎不发生变化,最大温度系数仅为 ±30ppm/℃。此外,这款电容器还具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),使得它非常适合于高频应用。由于其出色的稳定性和可靠性,这款电容器可以广泛应用于射频电路、振荡器、滤波器以及其他需要高性能无源元件的场合。
  另外,这款电容器的封装尺寸较大(1206 英寸),相比更小的封装尺寸如 0402 或 0603,能够提供更高的机械强度和散热能力,这使其更适合大电流或需要较高额定电压的应用场景。

应用

TCC1206COG100J501DT 主要用于以下领域:
  1. 射频和微波电路中的信号耦合与解耦。
  2. 高精度滤波器设计,特别是在音频和视频处理领域。
  3. 振荡器和时钟电路中的负载电容。
  4. 数据通信设备中的电源去耦。
  5. 工业控制和汽车电子系统中的高频旁路应用。
  由于其高稳定性和宽温度范围适应性,该型号也适用于航天航空和军事级设备。

替代型号

TCC1206CG100J501D, GRM31CR71E100JA01D, Kemet C0G 系列同规格产品

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