TCC1206COG100J501DT 是一款陶瓷电容器,属于 C0G (NP0) 类介质材料系列。该型号采用了多层陶瓷技术(MLCC),具有高稳定性和低温度漂移特性,适合用于高频电路、滤波器以及信号耦合等应用。其封装尺寸为 1206 英寸标准封装,具有较高的额定电压和良好的电气性能。
该电容器主要特点是其容量在宽温度范围内变化极小,因此被广泛应用于对稳定性要求较高的场景中。
型号:TCC1206COG100J501DT
类型:多层陶瓷电容器(MLCC)
介质材料:C0G(NP0)
标称容量:10pF
容量公差:±1%
额定电压:50V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:1206英寸
端子材料:锡铅合金
TCC1206COG100J501DT 使用了 C0G(NP0)类介质材料,这种材料的特点是具有非常高的温度稳定性,其容量在 -55℃ 至 +125℃ 的温度范围内几乎不发生变化,最大温度系数仅为 ±30ppm/℃。此外,这款电容器还具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),使得它非常适合于高频应用。由于其出色的稳定性和可靠性,这款电容器可以广泛应用于射频电路、振荡器、滤波器以及其他需要高性能无源元件的场合。
另外,这款电容器的封装尺寸较大(1206 英寸),相比更小的封装尺寸如 0402 或 0603,能够提供更高的机械强度和散热能力,这使其更适合大电流或需要较高额定电压的应用场景。
TCC1206COG100J501DT 主要用于以下领域:
1. 射频和微波电路中的信号耦合与解耦。
2. 高精度滤波器设计,特别是在音频和视频处理领域。
3. 振荡器和时钟电路中的负载电容。
4. 数据通信设备中的电源去耦。
5. 工业控制和汽车电子系统中的高频旁路应用。
由于其高稳定性和宽温度范围适应性,该型号也适用于航天航空和军事级设备。
TCC1206CG100J501D, GRM31CR71E100JA01D, Kemet C0G 系列同规格产品