电容值：2.5 pF
　　额定电压：100 V DC
　　电介质类型：NPO（C0G）
　　温度系数：±30 ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0402（1.0 mm x 0.5 mm）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　电容容差：±0.05 pF
　　老化率：≤0.1% / decade
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于 100 mΩ
　　等效串联电感（ESL）：典型值低于 0.4 nH

TCBT-2R5G+ 所采用的 NPO（C0G）电介质材料是目前最稳定的陶瓷电介质之一，能够在宽温度范围内保持极其稳定的电容值，几乎不受温度变化的影响。这种材料的温度系数仅为 ±30 ppm/°C，意味着即使在极端高低温环境下，电容值也不会发生显著漂移，从而保证了电路参数的长期一致性。这一特性使其特别适用于高精度定时电路、谐振电路和滤波器设计，其中任何微小的电容变化都可能导致系统性能下降或频率偏移。
　　NPO（C0G）材料还具有极低的老化率，通常小于 0.1% 每十倍时间周期，远优于 X7R 或 Y5V 等其他类型的陶瓷介质。这意味着 TCBT-2R5G+ 在长时间运行后仍能维持初始电容值，无需频繁校准或补偿，提高了系统的可靠性和维护周期。此外，该电容器在电压、频率和时间方面的稳定性也非常出色，不存在直流偏压导致的电容下降问题，这在高压偏置应用中尤为重要。
　　该器件的小型 0402 封装不仅节省 PCB 空间，还通过优化内部电极结构降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），使其在 GHz 频段仍能保持良好的阻抗特性。这对于高频去耦、射频匹配和高速信号完整性处理至关重要。低 ESL 特性减少了高频下的感性阻抗，提升了电容器在高频下的有效性能，避免了因自谐振频率过早出现而导致的功能失效。同时，低 ESR 有助于减少功率损耗和发热，提高系统效率。
　　TCBT-2R5G+ 经过严格的制造工艺控制，具备高可靠性和抗机械应力能力，能够承受多次热循环和回流焊接过程而不损坏。其结构设计也增强了抗湿性和耐电压冲击能力，适合在恶劣环境条件下长期运行。这些综合特性使得 TCBT-2R5G+ 成为高性能模拟和射频电路中不可或缺的关键元件。

TCBT-2R5G+ 凭借其卓越的电性能和稳定性，广泛应用于对电容精度和高频响应要求极高的电子系统中。在射频（RF）电路设计中，它常用于阻抗匹配网络、LC 谐振电路、带通滤波器和天线调谐模块，确保信号传输的最大效率和最小反射。由于其电容值在不同温度和电压下保持高度一致，因此非常适合用于压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）和本地振荡器（LO）等频率敏感电路，防止频率漂移影响系统性能。
　　在无线通信设备如基站、毫米波雷达、卫星通信终端和5G基础设施中，TCBT-2R5G+ 被用作关键的旁路和去耦电容，有效滤除高频噪声并稳定电源轨，保障射频前端模块的正常工作。其低 ESL 和低 ESR 特性使其能在 GHz 频段内提供有效的低阻抗路径，抑制电磁干扰（EMI）并提升信号完整性。
　　在测试与测量仪器领域，如网络分析仪、频谱仪和示波器中，该电容器用于精密信号调理电路和参考电路，确保测量结果的准确性和可重复性。此外，在汽车电子系统中，尤其是在高级驾驶辅助系统（ADAS）的雷达传感器模块中，TCBT-2R5G+ 提供可靠的高频性能，适应车载环境中的宽温变化和振动条件。
　　工业控制、医疗成像设备和航空航天电子系统也广泛采用此类高稳定性电容器，以满足长期运行和高安全标准的需求。总之，凡是需要高精度、高稳定性和高频响应的场合，TCBT-2R5G+ 都是一个理想的选择。

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