TC9WMB1FK 是一款由东芝(Toshiba)生产的汽车级功率MOSFET芯片,主要用于需要高可靠性和高效能的汽车电子系统中。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关能力,非常适合用于负载开关、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。
该型号属于东芝的WM系列功率MOSFET产品线,经过AEC-Q101认证,确保在恶劣的汽车环境下具有出色的稳定性和耐用性。
类型:N沟道增强型 MOSFET
Vds(漏源极电压):30V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):87A
Vgs(栅源极电压):±20V
Qg(栅极电荷):60nC
EAS(雪崩能量):2.0mJ
封装形式:TO-263-3(D2PAK)
TC9WMB1FK 具备以下显著特点:
1. 低导通电阻设计有效降低功耗并提高系统效率。
2. 高额定电流允许其应用于大功率场合。
3. 快速开关速度减少了开关损耗,适合高频工作环境。
4. 符合AEC-Q101标准,能够承受极端温度范围(-40℃至+175℃)。
5. 内置ESD保护功能,提高了芯片的抗静电能力。
6. TO-263封装形式提供了良好的散热性能和易于安装的优势。
这款功率MOSFET广泛应用于汽车电子设备中,具体包括:
1. 车载DC-DC转换器和稳压电路。
2. 汽车电动座椅、车窗升降器及其他小型电机驱动控制。
3. 汽车灯光控制系统,例如LED驱动。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 在新能源汽车中,可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制环节。
TC9WMB1GK, IRFZ44N, FDP5512