TC75S51F,LF(T) 是一种双极性晶体管阵列,采用 SO-8 封装形式。该器件内部包含多个独立的晶体管单元,广泛用于信号放大、开关控制等应用场合。
该芯片属于东芝(Toshiba)半导体产品系列,适用于需要高性能和高可靠性的电路设计。
型号:TC75S51F
封装:SO-8
集电极-发射极电压(VCEO):30V
集电极电流(IC):200mA
功率耗散(PD):340mW
工作温度范围(TA):-55℃ 至 +150℃
增益(hFE):最小值50,典型值100
过渡频率(ft):15MHz
TC75S51F,LF(T) 具有以下特点:
1. 高增益性能,确保在低输入信号条件下仍能实现有效的信号放大。
2. 宽工作温度范围,使其能够适应各种极端环境下的应用需求。
3. 良好的电气特性和稳定性,适用于要求高精度和高可靠性的场景。
4. 小型化封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子制造工艺。
该芯片适用于多种电子设备及系统:
1. 消费类电子产品中的音频信号放大。
2. 工业自动化控制中的信号开关。
3. 测量仪器中的小信号放大。
4. 通信设备中的高频信号处理。
5. 各种驱动电路中的功率放大功能。
2SD1204, BF899