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TC75S51F,LF(T 发布时间 时间:2025/5/14 19:19:31 查看 阅读:12

TC75S51F,LF(T) 是一种双极性晶体管阵列,采用 SO-8 封装形式。该器件内部包含多个独立的晶体管单元,广泛用于信号放大、开关控制等应用场合。
  该芯片属于东芝(Toshiba)半导体产品系列,适用于需要高性能和高可靠性的电路设计。

参数

型号:TC75S51F
  封装:SO-8
  集电极-发射极电压(VCEO):30V
  集电极电流(IC):200mA
  功率耗散(PD):340mW
  工作温度范围(TA):-55℃ 至 +150℃
  增益(hFE):最小值50,典型值100
  过渡频率(ft):15MHz

特性

TC75S51F,LF(T) 具有以下特点:
  1. 高增益性能,确保在低输入信号条件下仍能实现有效的信号放大。
  2. 宽工作温度范围,使其能够适应各种极端环境下的应用需求。
  3. 良好的电气特性和稳定性,适用于要求高精度和高可靠性的场景。
  4. 小型化封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子制造工艺。

应用

该芯片适用于多种电子设备及系统:
  1. 消费类电子产品中的音频信号放大。
  2. 工业自动化控制中的信号开关。
  3. 测量仪器中的小信号放大。
  4. 通信设备中的高频信号处理。
  5. 各种驱动电路中的功率放大功能。

替代型号

2SD1204, BF899

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