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TC58NVG1S3HBAI4 发布时间 时间:2025/7/5 17:59:04 查看 阅读:78

TC58NVG1S3HBAI4 是一款由东芝(现为 Kioxia)生产的 NAND 闪存芯片,主要用于存储数据。该芯片采用 MLC(多层单元)技术,具备高密度和高性能的特性,适用于各种嵌入式系统、移动设备和固态存储解决方案。
  该型号属于 BiCS(Bit Cost Scalable)架构系列,具有出色的可靠性和耐用性。

参数

容量:32GB
  接口:Toggle Mode 2.0
  封装:BGA
  I/O 电压:1.8V
  核心电压:1.8V
  页大小:8KB
  块大小:512页
  通道数:8
  最大时钟频率:200MHz
  数据传输速率:400MB/s

特性

TC58NVG1S3HBAI4 具有以下显著特性:
  1. 高密度存储能力,适合大容量数据存储需求。
  2. 采用先进的制程工艺,有效降低功耗并提高性能。
  3. 支持 Toggle Mode 2.0 接口,提供更快的数据传输速度。
  4. 内置 ECC(错误校正码)引擎,确保数据的完整性和可靠性。
  5. 宽温工作范围(-40°C 至 +85°C),适应多种恶劣环境应用。
  6. 具备强大的磨损均衡算法,延长使用寿命。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 智能手机和平板电脑等移动设备中的内部存储。
  2. 嵌入式系统,如工业控制设备、医疗仪器和车载系统。
  3. 固态硬盘(SSD)和其他高性能存储解决方案。
  4. 数字摄像机、无人机等需要高速存储的消费类电子产品。
  5. 数据记录仪和监控系统,用于长时间保存重要数据。

替代型号

TC58NVG1S3HBAIN, TC58NVG1S3HBATI4

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TC58NVG1S3HBAI4参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页25ns
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳63-VFBGA
  • 供应商器件封装63-TFBGA(9x11)