TC4469COE 时间：2025/12/24 18:06:16 阅读：17

TC4469COE是一款由Microchip Technology公司生产的高速双MOSFET驱动器集成电路。该芯片专为驱动高功率MOSFET和IGBT设计，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和同步整流等应用。TC4469COE采用CMOS工艺制造，具备高输出电流驱动能力，能够有效降低功率开关的开关损耗，提高系统的整体效率。该器件具有宽输入电压范围、高抗噪能力以及内置的欠压锁定保护功能，确保在各种工作环境下稳定运行。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　通道数：2
　　输出电流：1.2A（峰值）
　　工作电压范围：4.5V - 18V
　　传播延迟：25ns（典型值）
　　上升/下降时间：8ns / 7ns（典型值）
　　封装类型：14引脚 PDIP、SOIC、TSSOP
　　工作温度范围：0°C 至 70°C

特性

TC4469COE具备多个关键特性，使其在高性能电源设计中表现出色。首先，该器件提供高达1.2A的峰值输出电流，能够快速驱动大功率MOSFET和IGBT，从而减少开关损耗并提高系统效率。其宽输入电压范围（4.5V至18V）使其适用于多种电源架构，包括降压、升压、反激和正激转换器。
　　其次，TC4469COE具有极低的传播延迟（典型值25ns）和快速的上升/下降时间（8ns/7ns），这确保了精确的时序控制和高效的高频开关操作。这对于高频率开关电源（如VRM、DC-DC模块）尤为重要。
　　此外，该芯片内置欠压锁定（UVLO）功能，在电源电压低于安全工作范围时自动关闭输出，防止MOSFET在低效或危险条件下运行。同时，TC4469COE采用先进的CMOS设计，具有低静态电流和高抗干扰能力，确保在高噪声环境中稳定运行。
　　TC4469COE提供多种封装选项，包括14引脚PDIP、SOIC和TSSOP，适应不同PCB布局需求。其工业级工作温度范围（0°C至70°C）也使其适用于大多数中低端工业和消费类应用。

应用

TC4469COE主要用于需要高速MOSFET或IGBT驱动的电源和电机控制应用。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、半桥和全桥拓扑结构、电机驱动器、电池充电器、不间断电源（UPS）、LED照明驱动器以及各种工业自动化和控制系统。由于其高驱动能力和快速响应特性，TC4469COE在需要高效、高频开关操作的现代电源管理方案中被广泛采用。