TC4-19LN 时间：2025/12/28 14:16:54 阅读：12

TC4-19LN是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等中低功率电子系统中。该器件采用小型SOT-23封装（也称SC-59），具有体积小、导通电阻低、开关速度快等特点，适合在高密度印刷电路板（PCB）设计中使用。TC4-19LN工作于+20V的栅源电压（VGS），漏源击穿电压（BVDSS）为20V，连续漏极电流可达2.3A（ID），具备良好的热稳定性和可靠性。由于其优化的栅极设计，该MOSFET能够在较低的栅极驱动电压下实现快速导通，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景。此外，TC4-19LN符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于消费类电子产品、便携式设备及工业控制领域。该器件在关断状态下具有较高的阻断能力，同时在导通状态下表现出较低的导通损耗，有助于提高整体系统效率。

参数

型号：TC4-19LN
　　制造商：Toshiba
　　封装类型：SOT-23 (SC-59)
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：2.3A @ Ta=25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：9.2A
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=10V；45mΩ @ VGS=4.5V；55mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容（Ciss）：400pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：140pF @ VDS=10V
　　反向传输电容（Crss）：40pF @ VDS=10V
　　栅极电荷（Qg）：7nC @ VGS=10V
　　功耗（PD）：300mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C

特性

TC4-19LN具备优异的开关性能与导通特性，其核心优势在于低导通电阻与快速响应能力。在VGS=4.5V时，RDS(on)仅为45mΩ，这使得它在低电压驱动条件下仍能保持高效的能量传输，显著降低导通期间的功率损耗，提升系统能效。该器件的阈值电压范围为0.6V至1.2V，意味着即使在较低的控制信号电压下也能实现可靠的开启，非常适合用于由微控制器GPIO直接驱动的场合，如电池供电设备中的负载开关或LED驱动电路。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构技术，提升了单位面积下的载流子迁移率，从而实现了更高的电流密度和更小的芯片尺寸。这种结构还有效降低了寄生电容，特别是输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），从而减少了开关过程中的延迟和交叉导通风险，提高了高频工作的稳定性。其输入电容仅为400pF，在同类产品中处于领先水平，有利于减少驱动电路的功耗负担。
　　热性能方面，TC4-19LN虽采用小型表面贴装封装，但通过优化内部引线布局和芯片连接方式，确保了良好的散热路径。在自由空气环境中，其最大功耗可达300mW，结温可承受高达+150°C，具备较强的环境适应能力。同时，该器件具有出色的雪崩耐受能力和抗静电（ESD）性能，增强了在复杂电磁环境下的运行可靠性。此外，器件内部无寄生双极晶体管效应，避免了二次击穿现象，进一步提升了安全操作区域（SOA）的宽度。

应用

TC4-19LN广泛应用于多种中低功率模拟与数字电路中，尤其适用于需要高效开关控制的小型化电子产品。典型应用场景包括便携式设备中的电池管理电路，作为充放电路径上的开关元件，利用其低RDS(on)特性减少能量损耗，延长续航时间。在DC-DC降压或升压转换器中，该MOSFET可用作同步整流开关，替代传统肖特基二极管，以提高转换效率并降低发热。
　　在微控制器I/O扩展或外设驱动电路中，TC4-19LN常被用作逻辑电平转换或高边/低边开关，驱动继电器、LED指示灯、小型电机或其他负载。由于其支持3.3V甚至2.5V逻辑电平驱动，因此兼容现代低电压MCU输出，无需额外电平转换电路。此外，在热插拔电路、电源多路复用器和过流保护模块中，该器件也发挥着重要作用，能够快速响应控制信号，实现精确的电源通断控制。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机、智能手表等对空间和能效要求极高，TC4-19LN凭借其紧凑的SOT-23封装和高性能表现，成为这些设备中理想的功率开关选择。同时，工业传感器、IoT节点设备、USB供电模块以及小型电源适配器也普遍采用此类MOSFET来优化整体系统设计。