型号：TC4-14
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.4A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：17.6A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.5V，最大值2.3V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值28mΩ（当VGS=10V时），最大值38mΩ（当VGS=4.5V时）
　　输入电容（Ciss）：典型值450pF
　　输出电容（Coss）：典型值140pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值45pF
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值20ns
　　封装形式：SOT-23

TC4-14具备多项优良电气特性，使其成为中小功率应用中的理想选择。首先，其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通损耗，提高了整体能效。例如，在VGS=10V条件下，RDS(on)仅为28mΩ，这意味着即使通过较大电流时也能保持较小的压降和发热，从而提升系统效率并减少散热设计负担。这种特性特别适合用于电池供电设备中的电源管理，有助于延长续航时间。
　　其次，该器件的阈值电压较低，典型值为1.5V，允许使用低电压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或更低的微控制器输出电平，无需额外的电平转换电路。这不仅简化了外围电路设计，还减少了元器件数量和PCB占用面积，非常适合高度集成化的便携式产品设计。
　　再者，TC4-14拥有较快的开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容。开启延迟时间约为8ns，关断延迟时间为20ns左右，使得它可以在高频开关环境中稳定运行，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构。快速开关能力有效减少了开关过程中的能量损耗，进一步提升了电源转换效率。
　　此外，该MOSFET具备良好的热性能和可靠性。其采用的沟道结构优化了载流子迁移率，并增强了器件在高温环境下的稳定性。同时，器件内部具备一定的过载承受能力和抗静电（ESD）能力，能够在一定程度上抵御瞬态过压和操作过程中产生的静电冲击，提高整机系统的鲁棒性。
　　最后，TC4-14的小型化封装SOT-23极大地方便了自动化贴片生产，且引脚间距适中，易于焊接与检测，适合大规模量产。综合以上特点，TC4-14是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，适用于多种低压大电流开关应用场景。

TC4-14主要应用于各类低电压、中等电流的开关电路中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关和负载控制，例如智能手机和平板电脑中的背光驱动、摄像头模块供电控制以及USB接口的电源管理。由于其低导通电阻和快速响应特性，也常用于同步整流型DC-DC转换器中作为下管或上管使用，以提高转换效率并降低温升。
　　此外，该器件可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，实现对锂电池的安全隔离与通断控制。在电机驱动领域，TC4-14可作为H桥电路中的低端开关元件，用于小型直流电机或步进电机的启停与方向控制，尤其适用于玩具、微型机器人和家用小电器等低成本驱动方案。
　　在LED照明应用中，TC4-14可用于恒流驱动电路中的开关调节部分，配合电感和控制IC构成升压或降压拓扑，实现高效节能的白光LED驱动。同时，因其具备良好的温度稳定性，也可用于工业传感器模块、智能门锁、无线通信模块等需要长时间稳定工作的嵌入式系统中作为电源通断控制开关。
　　由于其封装小巧、功耗低、驱动简单，TC4-14还广泛应用于各种手持设备的热插拔保护电路中，防止带电插拔引起的浪涌电流损坏主控芯片。总体而言，TC4-14凭借其优异的性能和紧凑的尺寸，在消费电子、工业控制和通信设备等多个领域均有广泛应用。

Si2302DDS
　　AO3400
　　FDN340P
　　FDC630N