电容值：22μF
　　额定电压：16V
　　容差：±10%
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% over -55°C to +125°C
　　直流偏压特性：随电压升高电容值有所下降，需参考具体DC bias曲线
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 时间常数 ≥100S
　　耐久性：在额定电压和温度下可连续工作1000小时以上性能稳定
　　焊接方式：表面贴装（SMT），推荐使用回流焊工艺

TC212B226K016B所采用的X7R型陶瓷介质赋予了其出色的温度稳定性，能够在极端环境条件下保持电容性能的一致性。在-55°C到+125°C的宽温范围内，其电容值的变化被严格控制在±15%以内，这使得它非常适合用于汽车电子、工业控制模块以及通信设备等对温度波动敏感的应用场景。相较于Z5U或Y5V类电容，X7R材料具有更低的非线性失真和更小的电容漂移，从而提升了系统的长期可靠性。
　　该电容器具有较高的体积效率，即在相对紧凑的1210封装内实现了22μF的较大电容量，有助于节省PCB空间并提升整体系统集成度。尽管其容量较高，但仍能维持较为理想的高频响应能力，尤其在几十kHz至数MHz频率区间内表现出较低的阻抗特性，有利于有效滤除开关电源产生的纹波噪声。
　　值得注意的是，这类高容值MLCC存在明显的直流偏压效应，即施加直流电压后实际可用电容会低于标称值。例如，在接近16V的工作电压下，TC212B226K016B的实际电容可能衰减至标称值的60%-70%左右，因此在设计时必须查阅制造商提供的DC bias曲线进行降额评估。此外，其机械强度相对脆弱，安装过程中应避免PCB弯曲或热应力冲击导致裂纹产生。
　　TC212B226K016B还具备良好的抗湿性和长期老化稳定性，存储寿命长，且无极性结构使其适用于交流或复杂动态电压环境。整体而言，该器件在成本、性能与可靠性之间取得了良好平衡，是中高端电子系统中常用的被动元件之一。

TC212B226K016B多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子系统中，尤其适合作为电源轨的去耦和滤波元件。在DC-DC转换器电路中，它常被用作输入和输出端的滤波电容，以平滑电压波动并降低高频噪声对负载的影响。由于其具备一定的大容量特性和较好的频率响应，能够在开关频率较高的环境中有效抑制电磁干扰（EMI），提高电源效率与稳定性。
　　在数字系统主板、FPGA、ASIC或微处理器供电网络中，该电容器可用于局部电源去耦，吸收瞬态电流变化引起的电压尖峰，防止因电源塌陷导致的逻辑错误或系统复位。虽然单个1210封装的22μF电容无法完全替代钽电容或铝电解电容的大储能功能，但通过多个并联配置，可以构建高效的混合去耦网络，结合不同类型的电容实现宽频段噪声抑制。
　　在工业自动化设备、医疗仪器以及车载电子控制单元（ECU）中，TC212B226K016B因其宽温工作能力和高可靠性而受到青睐。特别是在汽车电子领域，尽管其未达到AEC-Q200最严苛等级，但在非动力域控制系统如信息娱乐系统或车身模块中仍可安全使用。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、路由器等便携式或固定式设备的电源管理单元。在这些应用中，小型化与高性能是关键需求，而TC212B226K016B正好满足这一要求。同时，其符合RoHS指令，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造趋势。

GRM31CR71C226KA12K
　　KCM12X7R1C226KP0L
　　C3216X7R1C226K160AC