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TC212A475K025Y 发布时间 时间:2025/12/28 10:29:59 查看 阅读:26

TC212A475K025Y是一款由AVX公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于工业级高可靠性电容产品系列。该器件主要用于需要稳定电容性能和较高耐压能力的电子电路中,尤其是在电源管理、滤波、去耦和旁路等应用场景下表现优异。TC212A475K025Y采用X7R介电材料,具备良好的温度稳定性,其电容值在-55°C至+125°C的宽温度范围内变化不超过±15%,适用于工作环境较为严苛的工业设备和汽车电子系统。该电容器的封装尺寸为1210(3225公制),是目前广泛应用的中大型贴片电容尺寸之一,能够在有限的空间内提供较高的电容值和耐压能力。此外,该型号具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)特性,有助于提升高频电路中的去耦效率和信号完整性。TC212A475K025Y符合RoHS环保要求,并通过了AEC-Q200等可靠性认证,适用于对长期稳定性和可靠性有较高要求的应用场景。

参数

电容值:4.7μF
  容差:±10%
  额定电压:25V
  介电材料:X7R
  温度范围:-55°C ~ +125°C
  封装尺寸:1210(3225)
  温度特性:ΔC/C ≤ ±15%
  直流偏压特性:随电压增加电容值有所下降,需参考具体DC偏压曲线
  安装类型:表面贴装(SMD)
  引脚数:2
  工作频率范围:适用于DC至数十MHz范围
  老化特性:典型老化率≤2.5%/decade
  最大纹波电流:依据实际应用条件而定
  绝缘电阻:≥1000MΩ 或 C×V ≥ 10000MΩ·μF(取较小值)
  耐湿性:符合IEC 60068-2-30标准
  抗焊接热:符合EIA-198标准

特性

TC212A475K025Y所采用的X7R陶瓷介质赋予其优异的温度稳定性,在-55°C到+125°C的宽温区间内,电容值的变化被严格控制在±15%以内,这使其非常适合用于那些工作环境温度波动较大的工业控制模块、电源转换器以及车载电子系统中。这种介电材料不仅提供了稳定的电容性能,还具备较低的电压系数,即在接近额定电压工作时,电容值的下降幅度相对较小,相较于Y5V等材料更为可靠。
  该器件的4.7μF电容值在25V耐压等级下属于高容量范畴,尤其在1210尺寸的MLCC中具有较强的竞争力。由于其高体积比电容(capacitance density),工程师可以在不牺牲PCB空间的前提下实现有效的电源去耦和噪声滤波功能。同时,该电容具备良好的直流偏压特性,尽管所有X7R电容都会在电压升高时出现电容衰减,但AVX通过优化内部叠层结构和介质配方,使得TC212A475K025Y在实际使用中的有效电容保持率优于同类产品。
  作为一款表面贴装器件,TC212A475K025Y支持自动化贴片工艺,适用于回流焊流程,并经过严格测试以确保在高温焊接过程中不会因热冲击导致开裂或性能劣化。其机械强度和抗弯曲性能也经过优化设计,减少因PCB弯折或热应力引起的微裂纹风险。此外,该电容具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),在高频去耦应用中能够有效抑制电源噪声,提升系统的电磁兼容性(EMC)表现。
  在可靠性方面,该器件通过了包括耐湿性、温度循环、负载寿命等多项工业级测试,部分批次可用于汽车电子应用。其绝缘电阻高,漏电流极小,适合用于精密模拟电路的旁路场合。整体而言,TC212A475K025Y是一款兼顾高性能、高可靠性和广泛适用性的多层陶瓷电容器,特别适合对长期稳定性要求较高的中高压滤波与储能应用。

应用

TC212A475K025Y广泛应用于多种电子系统中,特别是在需要稳定电容值和较高耐压能力的电源管理电路中发挥关键作用。在DC-DC转换器中,该电容器常用于输入和输出端的滤波,有效平滑电压波动并降低纹波噪声,从而提高电源转换效率和输出稳定性。其低ESR特性有助于减少高频开关过程中的能量损耗,提升整体能效。
  在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、电机驱动器和传感器接口模块,TC212A475K025Y被用作电源去耦电容,为微处理器、FPGA和ADC/DAC等敏感器件提供干净的供电电压,防止因瞬态电流变化引起的电压跌落或振荡。其宽温特性和高可靠性确保在恶劣工业环境中长期稳定运行。
  在汽车电子领域,该电容可用于车身控制模块、信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元等非动力总成系统中。虽然未明确标注为车规AEC-Q200认证型号,但其材料体系和制造工艺符合车规基础要求,部分衍生型号可能通过相关认证,因此在次级车载电源设计中也有应用。
  此外,TC212A475K025Y还可用于消费类电子产品中的高密度电源板设计,如路由器、机顶盒、LED驱动电源等,尤其在空间受限但需较大滤波电容的场合,其高容量密度优势明显。在通信设备中,也可作为射频模块的偏置电路旁路电容,帮助隔离高频干扰,提升信号质量。总之,该器件适用于各类中压、中高频、高稳定性的去耦、滤波和储能应用场景。

替代型号

GRM32DR71E475KA120
  C3225X7R1E475K160AC
  CL31A475KPANNNC
  EMK325B71E475KN-T
  UWLC32DR71E475K

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