电容值：4.7μF
　　电容公差：±20%
　　额定电压：20V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：X7R（ΔC/C ≤ ±15% over -55°C to +125°C）
　　介电材质：Class II X7R陶瓷
　　封装尺寸：1812（4532 metric）
　　直流偏压特性：在20V偏压下电容下降约40%-60%（典型）
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C·V ≥ 10000MΩ·μF
　　使用寿命：在额定电压与温度下≥10万小时
　　ESR（等效串联电阻）：典型值低于100mΩ（频率相关）
　　ESL（等效串联电感）：典型值约为0.5nH至1.2nH
　　自谐振频率（SRF）：约数十MHz量级（取决于PCB布局）

TC211A475M020Y所采用的X7R型陶瓷介质具有优异的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内保持电容值变化不超过±15%，这使得它非常适合用于对温度漂移敏感的应用场景，如滤波器、耦合电路和电源去耦网络。相较于Y5V或Z5U等其他II类陶瓷材料，X7R在温度和电压双重影响下的电容稳定性更优，虽然其介电常数低于III类材料，但仍足以支持较高电容密度的实现。该器件具备良好的机械强度和抗热冲击能力，能够承受回流焊过程中的高温循环而不产生裂纹或性能退化。其1812封装形式提供了较大的板面空间以容纳更多陶瓷层，从而在有限体积内实现4.7μF这一相对较高的电容值，同时通过优化内部电极叠层结构降低ESL和ESR，提升高频响应性能。
　　此外，该电容器具有低损耗因数（tanδ < 2.5%），确保在交流信号路径中不会引入显著的能量损失或相位失真，适合用于精密定时电路和中频滤波应用。由于是无极性元件，TC211A475M020Y可在交流或双向信号线路中安全使用，避免了极性错误导致的失效风险。其高绝缘电阻和长寿命设计也使其适用于高阻抗电路和储能场合。值得注意的是，这类大容量MLCC在施加直流偏压时会出现明显的电容衰减现象——例如在接近20V的工作电压下，实际可用电容可能仅剩初始值的40%~60%，因此在电路设计时必须参考厂商提供的直流偏压曲线进行降额设计。
　　为了提高系统的可靠性，该器件通过了AEC-Q200等可靠性认证（视具体批次而定），并符合RoHS和REACH环保指令要求。其端电极通常采用镍阻挡层和锡外镀层结构，提供良好的可焊性和耐腐蚀性，支持多次回流焊接工艺。整体而言，TC211A475M020Y是一款兼顾高容量、中等电压等级与稳定性能的工业级MLCC，特别适用于空间受限但需较高电容值的表面贴装设计。

TC211A475M020Y广泛应用于多种电子系统中，尤其适合需要稳定电容性能和较高能量存储能力的场合。在电源管理电路中，它常被用作输入/输出滤波电容，配合DC-DC转换器或LDO稳压器使用，有效抑制电压纹波和瞬态干扰，提升供电质量。在工业控制设备中，该器件可用于PLC模块、传感器信号调理电路中的去耦和旁路功能，防止噪声串扰影响测量精度。通信基础设施如基站射频单元、光模块前端电路也会采用此类电容进行局部电源去耦和高速信号通道的AC耦合。
　　在医疗电子领域，因其高可靠性和低失真特性，TC211A475M020Y可用于心电图机、超声成像设备等精密仪器的模拟前端滤波网络。消费类电子产品如高端音频设备、数字电视和机顶盒中，该电容可用于音频耦合、PLL环路滤波和处理器核心供电去耦。汽车电子方面，尽管非专门车规认证型号可能不适用于动力总成系统，但在车身电子、信息娱乐系统和ADAS辅助模块中仍可作为通用去耦元件使用。此外，在测试与测量仪器如示波器、信号发生器中，该电容器因其稳定的电气参数表现，可用于构建时间基准电路或有源滤波器。
　　由于其1812封装具有一定的机械强度，相比小型化封装（如0402或0603）更能抵抗PCB弯曲引起的应力开裂，因此也适用于存在振动或热循环的严苛环境。总之，该器件适用于任何要求中等电压、较大电容值且对长期稳定性有一定要求的表面贴装应用场景。

GRM55DR71E475KA12K
　　CL21B475KOQNNNE
　　C3216X7R1E475K160AC