时间：2025/7/4 20:24:33
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TBZT52C12S 是一款高性能的 SiC（碳化硅）MOSFET 功率晶体管，专为高频、高效率的应用而设计。该器件采用先进的碳化硅技术，具有出色的开关性能和低导通电阻特性，非常适合用于新能源汽车、光伏逆变器、工业电源以及不间断电源（UPS）等场景。
SiC MOSFET 相较于传统的硅基 MOSFET，在高温、高频和高压环境下表现更优，能够显著提高系统效率并减小整体尺寸和重量。
型号：TBZT52C12S
类型：SiC MOSFET
VDS（漏源电压）：1200V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：36mΩ
IDS（连续漏极电流）：40A
功耗：80W
栅极驱动电压（VGS(th)）：+18V/+20V/-5V
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4L
TBZT52C12S 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，仅为 36mΩ，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高额定电压（1200V），适合高压应用场景。
3. 快速开关能力，具备较低的开关损耗，支持高频操作。
4. 宽温度范围（-55℃ 至 +175℃），能够在极端环境下稳定运行。
5. 内置反向恢复二极管功能，简化电路设计并优化性能。
6. TO-247-4L 封装形式提供良好的散热性能和电气隔离，增强可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到各种现代电力电子设备中。
TBZT52C12S 广泛应用于需要高效率和高功率密度的领域：
1. 新能源汽车（EV/HEV）中的电机驱动和车载充电器。
2. 光伏逆变器，用于太阳能发电系统的高效能量转换。
3. 工业电源和不间断电源（UPS），确保稳定可靠的电力供应。
4. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
5. 高频逆变焊机，实现快速响应和高效焊接过程。
6. 其他高功率密度要求的场合，例如储能系统和风力发电。
C2M0080120D
FFSP1512TRP_B
STGGH12H12MD
IXGH12N120T
