型号：TBZ363C6V4-7-F
　　制造商：Diodes Incorporated
　　产品类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-323 (SC-90)
　　标称齐纳电压：6.4 V
　　齐纳电压容差：±5%
　　测试电流 (IZT)：5 mA
　　最大齐纳阻抗 (ZZT)：10 Ω
　　最大反向漏电流 (IR)：1 μA
　　功率耗散 (Ptot)：200 mW
　　工作结温范围：-55°C ~ 150°C
　　通道数：1
　　极性：单路齐纳
　　安装类型：表面贴装 (SMD)

TBZ363C6V4-7-F齐纳二极管具备优异的电气性能和热稳定性，能够在宽温度范围内保持精确的电压调节能力。其标称齐纳电压为6.4V，在5mA的测试电流下具有低至10Ω的最大齐纳阻抗（ZZT），这意味着在负载变化时仍能维持较小的电压波动，从而提高系统的稳定性和精度。该器件的电压容差控制在±5%以内，相较于普通±10%的产品，提供了更高的电压精度，适用于对参考电压要求较高的模拟电路或数字逻辑电平转换场合。
　　该器件采用SOD-323小型化表面贴装封装，体积仅为2.8mm x 1.6mm x 1.1mm左右，非常适合应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及其他便携式消费类电子产品中，有助于实现PCB空间的高效利用。尽管封装小巧，但其最大功耗可达200mW，能够在短时间内承受一定的瞬态功率冲击，增强了电路的鲁棒性。
　　TBZ363C6V4-7-F的工作结温范围从-55°C到+150°C，使其可在极端环境条件下可靠运行，广泛适用于工业自动化、汽车电子、通信模块等严苛应用环境。该器件还通过了AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感度等方面均满足汽车级元器件的严格考核标准，提升了在车载系统中的适用性。
　　此外，该齐纳二极管具有低反向漏电流（最大1μA @ VR = 1V），在待机或低功耗模式下几乎不消耗额外电流，有利于延长电池供电设备的续航时间。其结构设计优化了散热路径，结合高热导率的芯片粘接材料，使热量能够有效传导至PCB，避免局部过热导致失效。整体上，TBZ363C6V4-7-F以其高精度、小尺寸、高可靠性和环境适应性强等特点，成为现代电子系统中理想的电压保护与稳压解决方案之一。

TBZ363C6V4-7-F广泛应用于需要精密电压参考和过压保护的各类电子系统中。常见用途包括电源轨的电压箝位，例如在3.3V或5V逻辑系统中防止瞬态电压尖峰损坏下游IC；也可用于接口电路（如USB、I2C、GPIO）的ESD保护和电平箝位，提升系统对外部干扰的抗扰度。在传感器信号调理电路中，它可作为基准电压源，为运算放大器或ADC提供稳定的参考点。此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS）、LED驱动电路和DC-DC转换器的反馈网络中，实现电压监测与稳压功能。由于其符合AEC-Q101标准，因此在汽车电子领域如车载信息娱乐系统、车身控制模块、ADAS传感器单元中也有广泛应用。在工业控制设备中，该齐纳二极管可用于PLC输入输出模块的信号保护，确保长期运行的稳定性与安全性。

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　　 "PZM6.4,213",
　　 "MMBZ5239B-7-F",
　　 "SZMM3Z6V2-GS08",
　　 "BZT52C6V4-GS08"
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