TBS7143203DH 时间：2025/8/6 22:30:02 阅读：8

TBS7143203DH 是一款由 Toshiba（东芝）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高功率和高频率应用设计。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于电源转换器、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效功率管理的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：120A
　　最大漏极-源极电压（Vds）：60V
　　最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为3.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　最大功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

TBS7143203DH 具有出色的导通性能和开关特性，能够在高频率下稳定工作。其低导通电阻显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，具备良好的热管理能力，能够在高负载条件下保持较低的温度上升。
　　该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了与微控制器或其他数字控制电路的接口。TBS7143203DH 还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或负载突变情况下提供更高的可靠性。
　　为了提高系统的稳定性，该MOSFET的内部结构优化了寄生电感，从而减少了开关过程中的振荡和电磁干扰（EMI）。这使得它在高频开关应用中表现出色，尤其是在同步整流、DC-DC转换器和H桥电机驱动等场景中。另外，TBS7143203DH 的封装设计也考虑了散热需求，能够有效地将热量传导到PCB或散热片上，确保长时间运行的稳定性。

应用

TBS7143203DH 主要应用于高功率电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流模块、服务器电源、电池管理系统（BMS）以及电动工具和电动汽车的电机控制系统。此外，该器件也非常适合用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、光伏逆变器以及高性能开关电源（SMPS）等场合。
　　在电机控制方面，TBS7143203DH 可用于H桥驱动电路，实现电机的正反转控制和能量回馈制动，适用于工业机器人、自动化生产线和伺服控制系统。在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池的充放电控制，确保电池组的安全和高效运行。
　　由于其高效率和低导通损耗的特性，TBS7143203DH 也广泛用于高性能计算设备的电源管理模块，如GPU和CPU的电压调节模块（VRM），以满足现代处理器对供电的高精度和高效率要求。