时间：2025/7/3 22:34:24
阅读：12
TBL200N06-5DL8 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种开关电源、电机驱动和负载切换等应用。其额定电压为 60V，能够承受高达 200A 的脉冲电流。该型号还具有极低的栅极电荷，有助于实现快速开关和高效能量转换。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：41A
脉冲漏极电流：200A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：2000pF
总耗散功率（Tc=25℃）：160W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
TBL200N06-5DL8 具有低导通电阻和高电流承载能力，适合需要高效能和大功率的应用场景。它具备以下特点：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），减少传导损耗。
2. 高脉冲电流处理能力（200A），可满足短时大电流需求。
3. 快速开关性能，得益于其低栅极电荷设计。
4. 工作温度范围宽广，适应各种环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
这些特性使该器件在开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等领域表现优异。
TBL200N06-5DL8 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类电机驱动电路，如步进电机和直流电机控制。
3. 负载切换和保护电路，例如汽车电子系统中的电池管理。
4. UPS 不间断电源系统中的逆变电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其出色的性能和可靠性，这款 MOSFET 成为许多高功率应用的理想选择。
TBL200N06L, IRF2706PbF, STP200N06LL
