类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）@ 25°C：110 A
　　导通电阻（Rds(on)）：@ Vgs = 10V：3.7 mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-263 (D2PAK)
　　功率耗散（Ptot）：320 W

TBK7381702HE 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，具有多项优异的电气和热特性。首先，该器件的导通电阻（Rds(on)）非常低，典型值仅为 3.7 mΩ（在 Vgs = 10V 时），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，其最大漏源电压（Vds）为 200V，可支持中高功率电源应用。该 MOSFET 可以在高达 110A 的连续漏极电流下运行，适用于高电流负载的场合，如电机驱动或大功率 DC-DC 转换器。
　　此外，TBK7381702HE 采用了先进的沟槽技术，增强了导通性能和热稳定性。其 TO-263 封装具有良好的散热性能，使得器件在高功率密度设计中仍能保持较低的结温。该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容标准的 10V 和 12V 驱动电路，便于与各种控制器和驱动 IC 配合使用。
　　由于其优异的开关性能，TBK7381702HE 可在高频率下工作，从而减小外围元件的尺寸，提高整体系统的功率密度。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在电压瞬变条件下的可靠性和耐用性，适用于严苛的工作环境。

TBK7381702HE 主要用于需要高电流和高电压性能的功率电子系统中。其低导通电阻和高电流能力使其成为 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、负载开关和电池管理系统（BMS）的理想选择。该器件也广泛应用于工业自动化、电源模块、电动工具、电动汽车充电系统以及太阳能逆变器等高功率电子设备中。
　　在 DC-DC 转换器设计中，TBK7381702HE 可用作主开关或同步整流器，提高转换效率并降低损耗。在电机控制应用中，它能够承受频繁的开关操作和大电流冲击，确保电机驱动系统的稳定性和可靠性。此外，该 MOSFET 在电池管理系统中可用于电池充放电控制和保护电路，提升系统的安全性和能效。
　　由于其良好的热性能和封装设计，TBK7381702HE 也适用于紧凑型功率模块设计，能够满足对空间和散热有严格要求的应用场景。

SiHF30N200TFD, FDPF30N200, STP110N200F7