TBK702300HHE 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高效率的电力电子系统中。该器件采用高性能的硅基技术制造,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于需要高可靠性和高效率的工业电源、电池管理系统和电动工具等应用。TBK702300HHE 采用TO-263封装,具有良好的热管理和电气性能,适用于表面贴装工艺。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):70A
导通电阻(Rds(on)):约2.3mΩ(典型值)
最大工作温度:150°C
封装形式:TO-263(表面贴装)
TBK702300HHE 功率MOSFET具有多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。
首先,其低导通电阻(Rds(on))约为2.3mΩ,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。这在高电流应用中尤为重要,因为它减少了功率损耗和热量生成,提高了整体系统的能效。
其次,该器件的最大漏源电压为100V,最大连续漏极电流为70A,能够在高电压和高电流条件下稳定工作,适用于多种电力电子变换器设计,如DC-DC转换器、电机控制器和电池管理系统。
此外,TBK702300HHE 采用TO-263封装,具有良好的散热性能,能够有效管理热量,确保在高负载条件下的长期稳定性。其表面贴装封装形式也简化了PCB布局和制造流程,降低了生产成本。
该器件还具备较高的开关速度,适用于高频开关应用。快速的开关响应时间有助于减少开关损耗,提高系统的动态响应能力。同时,其宽栅极电压范围(±20V)提高了驱动电路的兼容性和设计灵活性。
最后,TBK702300HHE 的高可靠性使其能够在严苛的工业环境中长期运行,符合多项国际安全和环保标准,适用于需要高稳定性的工业和汽车电子系统。
TBK702300HHE 主要应用于高功率电子系统,如工业电源、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电动工具、电池管理系统(BMS)以及电机控制器等领域。
在工业电源系统中,该MOSFET可用于高效的功率转换模块,提供稳定的电压和电流输出。在DC-DC转换器中,其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率,减少能量损耗。
在电池管理系统中,TBK702300HHE 可用于电池充放电控制电路,确保电池组在安全范围内运行,并提高充放电效率。其高电流能力也使其适用于电动工具和电动汽车中的功率控制模块。
此外,在电机控制应用中,该器件可用于H桥驱动电路,实现对直流电机或无刷电机的高效控制。其高耐压和大电流能力使其适用于工业自动化设备和机器人控制系统。
由于其优异的电气性能和可靠性,TBK702300HHE 也常用于高功率LED照明系统、太阳能逆变器和储能系统等新兴应用领域。
TK70G10QM, IRF1010E, STP70NF75