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TBA1-1223E 发布时间 时间:2025/8/3 23:35:20 查看 阅读:28

TBA1-1223E是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的射频(RF)继电器,属于其TBA系列的高性能射频继电器产品。该器件专为在高频应用中提供可靠的开关功能而设计,适用于需要高隔离度和低插入损耗的射频系统。TBA1-1223E采用表面贴装封装技术,具备优异的电气性能和机械稳定性。

参数

类型:射频继电器
  额定频率范围:0.1 MHz 至 3 GHz
  最大工作电压:12 V DC
  线圈电阻:100 Ω
  接触电阻:≤ 0.5 Ω
  绝缘电阻:≥ 1 GΩ
  插入损耗:≤ 0.3 dB(典型值)
  隔离度:≥ 60 dB @ 1 GHz
  最大开关电流:1 A
  最大负载电压:60 V DC
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

TBA1-1223E射频继电器具备多项卓越的性能特性。首先,它具有低插入损耗,在0.1 MHz至3 GHz频率范围内保持在0.3 dB以下,使得信号在传输过程中几乎不会产生衰减,适用于对信号完整性要求高的系统。其次,其高隔离度达到60 dB以上,能有效防止不同通道之间的信号串扰,提高系统的抗干扰能力。
  该继电器支持高达3 GHz的工作频率,适用于现代通信系统、测试设备和测量仪器等高频应用场景。其12 V直流驱动电压和100 Ω线圈电阻设计,使其易于与标准控制电路接口,便于集成到各种系统中。
  TBA1-1223E采用表面贴装封装,减小了电路板空间占用,并提高了组装效率。其机械结构坚固,具有高耐久性和长寿命,能够承受数万次以上的开关操作而保持稳定性能。此外,该器件可在-40°C至+85°C的宽温度范围内正常工作,适应各种恶劣环境条件。
  

应用

TBA1-1223E广泛应用于各种射频和高频系统中,包括通信基站、无线测试设备、频谱分析仪、信号发生器、自动测试设备(ATE)、工业控制系统以及射频开关矩阵等。其高频率支持能力和优良的信号隔离特性,使其成为射频信号路径切换、多路复用器设计以及射频测试系统中不可或缺的组件。
  此外,该继电器也适用于需要高可靠性和稳定性能的航空航天、国防和医疗电子设备中。由于其表面贴装封装设计,TBA1-1223E也非常适合自动化生产线,广泛用于批量生产和高密度电路板设计。

替代型号

TBA1-1223E的替代型号包括TBA1-1215E、TBA1-1222E和TBA1-1225E,这些型号在性能参数和封装形式上相近,可根据具体应用需求进行选择。

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