时间：2025/7/26 13:22:47
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TB5R3LDWR是一款由东芝（Toshiba）公司推出的功率MOSFET晶体管，专为高效能、低损耗的电源转换系统设计。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特性，适用于各种高频率、高效率的电源应用。TB5R3LDWR属于N沟道增强型MOSFET，通常用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器以及电源管理模块中。该器件采用表面贴装封装（SOP），便于在高密度PCB设计中实现自动化装配。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：20V
最大连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25°C时）
最大脉冲漏极电流(Idm)：400A
导通电阻(Rds(on))：3.2mΩ（当Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
TB5R3LDWR具有多项优异的电气特性和设计优势，首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍然能够保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。该MOSFET的沟槽栅极技术优化了电荷存储效应，使得开关损耗显著降低，适用于高频开关应用。TB5R3LDWR还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时的高电压冲击，从而增强器件在恶劣工作环境下的可靠性。
其次，该器件的封装设计采用了热增强技术，能够有效将热量传导至PCB板，从而提升散热性能，延长器件寿命。此外，TB5R3LDWR支持高栅极驱动电压（最大20V），在不同负载条件下能够维持稳定的导通状态，确保系统运行的稳定性。
最后，TB5R3LDWR在设计上考虑了抗短路和过热保护机制，能够在极端工作条件下自动限制电流或关闭，从而保护MOSFET免受损坏。这一特性使其非常适合用于高可靠性的工业、汽车电子以及消费类电子产品中。
TB5R3LDWR广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中，尤其适用于高效率的DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。由于其高电流承载能力和低导通损耗，该MOSFET在电动工具、电动自行车、UPS不间断电源、服务器电源模块以及LED照明电源系统中得到了广泛应用。
此外，TB5R3LDWR也可用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-AC逆变器、电动助力转向系统（EPS）以及车载娱乐系统的电源管理模块。其高可靠性和良好的热管理能力，使其在高温环境下依然能够稳定工作，满足现代电子产品对小型化、高效化和高可靠性的需求。
TK80A03K3 / TPSMB30A
