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TB5D1MLDR 发布时间 时间:2025/7/26 14:44:05 查看 阅读:4

TB5D1MLDR是一款由东芝(Toshiba)生产的双极型晶体管阵列,广泛应用于工业自动化、电机驱动和继电器驱动等场景。这款器件内部集成了多个晶体管,提供了一种高效的电流控制解决方案。TB5D1MLDR采用DIP封装,具备较高的可靠性和稳定性,适合在各种严苛环境下工作。

参数

类型:晶体管阵列
  封装类型:DIP
  电源电压:最大50V
  集电极-发射极饱和电压:典型值1.0V(最大1.5V)
  集电极电流:最大150mA
  输出配置:达林顿对
  功耗:400mW
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  存储温度范围:-55°C至+150°C
  绝缘电压:2500Vrms(最小)

特性

TB5D1MLDR的核心特性包括其内部集成的多个达林顿晶体管,这种设计可以提供高电流增益和强大的负载驱动能力。每个晶体管都具备较高的耐压能力,可以承受高达50V的电压,使其适用于多种中高电压应用。此外,该器件具有良好的热稳定性和过载保护功能,能够在恶劣的工业环境中保持稳定运行。
  TB5D1MLDR的达林顿结构能够提供极高的电流增益,显著减少了对外部驱动电路的需求,从而简化了整体设计并提高了系统可靠性。该器件还内置了续流二极管,用于保护晶体管免受感性负载(如继电器或电机)切换时产生的反向电压冲击。这种保护机制不仅延长了器件的使用寿命,还减少了外围元件的数量,降低了设计复杂度。
  此外,TB5D1MLDR采用了高绝缘封装技术,确保了器件在高电压应用中的安全性。其宽泛的工作温度范围也使其能够适应多种工业环境,包括高温和低温条件下的运行。

应用

TB5D1MLDR广泛应用于工业控制系统中,尤其是在需要驱动继电器、小型电机、螺线管或其他高负载设备的场合。该器件特别适合用于可编程逻辑控制器(PLC)、工业自动化设备、测试仪器以及家用电器中的控制电路。
  在电机驱动应用中,TB5D1MLDR可用于控制小型直流电机的启停和方向切换。在继电器驱动方面,它能够有效地驱动多个继电器模块,实现对大功率设备的开关控制。此外,该器件还可用于LED显示屏的扫描驱动、信号隔离以及各种逻辑接口电路中。
  由于其内置的保护功能和高可靠性,TB5D1MLDR也被广泛应用于安全关键型系统,如医疗设备中的控制电路和自动售货机的执行机构控制。

替代型号

ULN2003ADWR,TB5D1MVK,ULN2003A

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TB5D1MLDR参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭接口 - 驱动器,接收器,收发器
  • 系列-
  • 类型驱动器
  • 驱动器/接收器数4/0
  • 规程-
  • 电源电压3 V ~ 5.5 V
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装16-SOIC N
  • 包装带卷 (TR)