时间：2025/4/28 11:53:10
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TB3R2是东芝（Toshiba）公司生产的一款N沟道功率MOSFET晶体管。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、高开关速度和出色的耐用性等特性，适用于各种功率转换和电机驱动应用。TB3R2的额定电压为60V，连续漏极电流可达14A，非常适合于需要高效功率管理的场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷（典型值）：9nC
开关时间：ton=18ns，toff=15ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
TB3R2是一款高性能的功率MOSFET，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功耗并提升效率。
2. 高速开关性能，支持高频工作环境。
3. 良好的热稳定性，确保在极端温度条件下依然保持可靠运行。
4. 紧凑型TO-220封装设计，易于安装且散热性能优越。
5. 内置反向二极管，可减少电路复杂度并保护器件免受瞬态电压影响。
这些特性使得TB3R2成为众多工业和消费类电子设备中的理想选择。
TB3R2广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 电机控制和驱动电路。
3. LED照明驱动器。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
由于其卓越的电气特性和可靠性，TB3R2在需要高效功率传输的应用场合表现尤为突出。
IRFZ44N, FQP17N06, STP14NF06
