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TB34S 发布时间 时间:2025/12/24 13:51:58 查看 阅读:25

TB34S是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件以其高电流处理能力和低导通电阻为特点,适用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用场合。
  其封装形式为TO-220,这种封装提供了良好的散热性能,适合中高功率的应用环境。

参数

型号:TB34S
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:TO-220
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):15A
  峰值脉冲漏极电流(Idp):75A
  导通电阻(Rds(on)):0.06Ω(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):39nC
  开关时间:开启时间(ton)=88ns,关闭时间(toff)=39ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

TB34S具备以下显著特性:
  1. 高效率:由于其低导通电阻(0.06Ω),可有效减少导通损耗,提高整体电路效率。
  2. 快速开关能力:较小的栅极电荷和快速的开关时间使其非常适合高频开关应用。
  3. 良好的热稳定性:采用TO-220封装,能够有效地将热量传导到散热器上,确保器件在高温条件下稳定运行。
  4. 强大的过载能力:支持高达75A的峰值脉冲电流,增强了器件的抗浪涌能力。
  5. 广泛的工作温度范围:从-55℃到+150℃的工作温度范围使其能够在恶劣环境下可靠工作。

应用

TB34S适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. 电机驱动器,用于控制直流或无刷直流电机的速度和方向。
  3. 各类负载切换电路,如汽车电子系统中的继电器替代方案。
  4. 逆变器设计中的功率输出级。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

根据具体应用需求,可以考虑以下替代型号:
  1. IRF540N - 具有相似的电气特性和TO-220封装。
  2. FDP15U60A - 由Fairchild生产,具有更低的导通电阻。
  3. STP15NF06L - STMicroelectronics的产品,同样提供15A的持续电流和60V的最大漏源电压。
  4. AO3400 - Alpha & Omega Semiconductor推出的MOSFET,适用于空间受限的设计因其更小的封装尺寸。

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