TB3100L 时间：2025/9/6 8:04:41 阅读：8

TB3100L 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率和高功率应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性，使其在电源管理和功率转换领域具有广泛应用。TB3100L 通常采用表面贴装封装（如SOP或DFN封装），适合用于小型化、高性能的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.1mΩ（@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP/DFN

特性

TB3100L 的主要特性之一是其极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为3.1mΩ，这使得该MOSFET在高电流应用中仍能保持较低的温升。
　　该器件的另一个显著特点是其高电流承载能力，在VDS为30V时可支持高达100A的漏极电流，非常适合用于大功率DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等场景。
　　TB3100L 还具备良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（100W），能够在高负载条件下保持稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。
　　此外，该MOSFET支持±20V的栅源电压，具有较强的抗过压能力，提高了其在复杂电路环境中的适用性。
　　从封装角度来看，TB3100L 多采用表面贴装封装（如SOP或DFN），体积小巧，便于PCB布局和自动化生产，适用于高密度电子设备的设计。

应用

TB3100L 主要应用于需要高电流、低损耗和高效功率管理的场合。其典型应用包括同步整流式DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、服务器电源和电信设备电源系统等。
　　在DC-DC转换器中，TB3100L 的低RDS(on)特性可显著降低传导损耗，提高转换效率，尤其适用于高频率开关电源设计。
　　在电机驱动和负载开关应用中，该MOSFET的高电流承载能力和良好的热稳定性使其能够胜任重载工况，保障系统的稳定性和寿命。
　　此外，由于其高可靠性和紧凑封装，TB3100L 也常用于便携式电子设备和车载电源系统中，作为高效率的功率开关器件。