型号：TB28F400B5B80
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：4 Mbit (512 KB)
　　组织结构：256K x 16位
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　接口类型：并行（CE#, OE#, WE#, BYTE#等控制信号）
　　封装形式：48-pin TSOP, 44-pin FBGA
　　读取访问时间：70ns / 90ns（根据版本）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程/擦除耐久性：≥ 100,000 次
　　数据保持时间：≥ 20 年
　　写保护功能：支持硬件和软件写保护
　　供电电流：典型值 20mA（读取模式），编程时更高
　　待机电流：≤ 100μA

TB28F400B5B80具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域中表现出色。首先，该芯片采用高性能的NOR Flash架构，支持快速随机读取访问，典型读取时间为70ns或90ns，能够满足微控制器或处理器直接从Flash执行代码的需求，实现eXecute In Place（XIP）功能。这一特性显著减少了系统对额外RAM的需求，降低了整体BOM成本，同时提升了启动速度和系统响应效率。其次，该器件具备完整的命令集架构，通过标准的写入命令序列（如解锁、编程、块擦除等）实现对存储单元的操作，兼容JEDEC标准，便于开发人员进行固件更新和现场升级。其内部存储阵列为256K x 16位组织方式，适合16位总线宽度的处理器系统，广泛应用于DSP、MCU和MPU平台。
　　在可靠性方面，TB28F400B5B80表现出优异的耐久性和数据保持能力。每个扇区可承受至少10万次的擦写循环，在长期运行的工业控制系统中依然保持稳定。数据保存时间超过20年，即使在高温或恶劣环境下也能确保固件不丢失。此外，该芯片支持软硬件写保护机制，防止意外写入或误擦除操作，增强了系统的安全性与稳定性。电源管理方面，其工作电压范围为3.0V至3.6V，适用于大多数低功耗嵌入式系统，并具备低待机电流（≤100μA），有助于延长电池供电设备的使用寿命。
　　封装上，TB28F400B5B80提供48引脚TSOP和44引脚FBGA两种选择，适应不同的PCB布局和空间限制。其工业级温度范围（-40°C ~ +85°C）确保在极端环境下的可靠运行，适用于户外通信设备、工业自动化、医疗仪器等严苛应用场景。尽管该型号已逐步被更先进的串行NOR Flash取代，但其并行接口带来的高吞吐量和确定性时序控制，仍使其在某些特定领域保有不可替代的地位。

TB28F400B5B80广泛应用于多种嵌入式系统和工业电子设备中。其典型应用场景包括网络通信设备（如路由器、交换机、DSL调制解调器）中的BIOS或固件存储，因其支持XIP功能，允许处理器直接从Flash运行启动代码，加快系统初始化过程。在工业控制系统中，该芯片用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块的程序存储，提供高可靠性和长期数据保持能力。消费类电子产品如机顶盒、打印机、数码相机等也常采用此类NOR Flash来存放引导程序和配置信息。
　　此外，TB28F400B5B80适用于汽车电子系统中的仪表盘控制模块、车载信息娱乐系统（IVI）以及车身控制单元，特别是在需要满足AEC-Q100可靠性标准的早期车型中。医疗设备领域中，用于便携式监护仪、超声成像系统等需要长期稳定运行的装置，存储校准数据和操作系统代码。军事与航空航天领域也有使用记录，因其具备良好的抗干扰能力和宽温工作特性。
　　由于其并行接口设计，该芯片特别适合与16位或32位微处理器（如ARM7、ColdFire、MIPS等）配合使用，构建中低端嵌入式平台。虽然现代设计趋向于使用SPI/QSPI接口的串行NOR Flash以节省引脚数和成本，但在一些对实时性要求高、总线带宽需求大的旧有系统或定制化设备中，TB28F400B5B80仍然是理想的存储解决方案。此外，在设备维护和备件替换市场中，该型号仍有持续需求，尤其是在无法更换主控平台的情况下，维持原有系统兼容性至关重要。

S29GL032N90TFIR2
　　M29W400BB
　　EN29LV400AB