型号：TB060PM-T
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大连续漏极电流（Id）：5.5A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：22A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=10V, Id=5A
　　导通电阻（Rds(on)）：34mΩ @ Vgs=4.5V, Id=5A
　　输入电容（Ciss）：580pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：145pF @ Vds=25V
　　反向传输电容（Crss）：45pF @ Vds=25V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23

TB060PM-T采用高性能沟槽工艺制造，具备极低的导通电阻，有效降低了在大电流工作条件下的功率损耗，提高了系统的整体能效。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为28mΩ，在同类SOT-23封装产品中处于领先水平，特别适用于需要高效能量转换的应用场合。该器件的栅极电荷（Qg）仅为12nC，意味着在高频开关操作中所需的驱动能量较小，有助于降低驱动电路的设计复杂度并减少开关损耗。此外，较低的输入电容和反向传输电容进一步提升了其在高速开关应用中的响应速度和稳定性。
　　该MOSFET具有良好的热性能和稳定的电气特性，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠工作，适应各种严苛的环境条件。其SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备优良的散热能力，配合合理的布局设计可实现高效的热管理。TB060PM-T还具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抗扰度，能够承受瞬态过压和电流冲击，提升系统安全性。器件的阈值电压范围适中（1.0V~2.5V），兼容3.3V和5V逻辑电平控制信号，便于与微控制器、PWM控制器等直接接口，无需额外电平转换电路。
　　在可靠性方面，TB060PM-T经过严格的质量控制流程，具备高抗湿性、抗机械应力和长期稳定性，适用于自动化贴片生产线。其符合RoHS指令且不含卤素，满足现代电子产品对环保和安全性的要求。综合来看，TB060PM-T是一款集高性能、小型化、高可靠性和易用性于一体的N沟道MOSFET，是中小功率开关应用的理想选择。

TB060PM-T广泛应用于多种中低功率电子系统中，尤其是在对空间和效率有较高要求的便携式设备中表现突出。典型应用场景包括锂电池供电设备中的电源开关与保护电路，如智能手机、平板电脑、移动电源等，用于控制电池充放电路径或作为负载开关切断待机功耗。在DC-DC转换器中，该器件可用作同步整流开关，显著提升转换效率，特别是在降压型（Buck）变换器中作为下管使用效果良好。
　　此外，TB060PM-T也常见于LED照明驱动电路中，作为恒流调节或开关控制元件，支持快速响应和精确亮度控制。在电机驱动领域，可用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现正反转和调速功能。其SOT-23封装使其非常适合用于空间受限的智能家居设备、可穿戴设备、物联网终端模块以及各类消费类电子产品中的电源管理单元。
　　工业控制方面，TB060PM-T可用于传感器电源控制、继电器驱动、电磁阀开关等小功率负载切换应用。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可应用于汽车电子外围电路，如车载信息娱乐系统的电源管理或辅助照明控制。总之，凡是需要高效、紧凑、可靠的N沟道MOSFET进行开关控制的场合，TB060PM-T都是一个极具竞争力的选择。

SI2302-DS-T1-E3\nAO3400\nFDN340P\nFDC630N