TAR8H05K 时间：2025/7/12 18:57:03 阅读：36

TAR8H05K是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压应用场合。它采用TO-263封装形式，具备低导通电阻和高效率的特性，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。
　　该器件的主要特点是其出色的开关性能和耐用性，在高温和高电流环境下能够保持稳定运行。此外，它的高击穿电压使得其非常适合需要处理大功率和高电压的应用场景。

参数

最大漏源电压：800V
　　连续漏极电流：5.1A
　　导通电阻：0.9Ω
　　栅极电荷：25nC
　　总功耗：2.4W
　　工作温度范围：-55℃ to 175℃

特性

TAR8H05K具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力，可承受高达800V的漏源电压。
　　2. 低导通电阻设计，减少功率损耗并提升效率。
　　3. 快速开关速度，支持高频操作，降低开关损耗。
　　4. 具备优秀的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
　　6. 内置ESD保护机制，提高整体可靠性。

应用

TAR8H05K主要应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器和充电器。
　　2. 电机驱动控制电路，用于家电和工业设备。
　　3. LED驱动器和照明系统。
　　4. 逆变器和不间断电源(UPS)。
　　5. 太阳能逆变器和能源管理系统。
　　6. 各种高压功率转换电路中的开关元件。