类型：N 沟道
　　漏源电压（VDS）：200V
　　漏极电流（ID）：10A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerSO-10

TA200PW 具有多个显著的技术特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该 MOSFET 的高耐压能力（200V）使其适用于多种中高功率应用，如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统。
　　该器件采用了先进的 STripFET 技术，提供优异的热管理和高电流承载能力，能够在高温环境下稳定工作。TA200PW 还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高开关频率下的性能表现。此外，其 PowerSO-10 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还具备较小的封装尺寸，适用于空间受限的设计。
　　在可靠性方面，TA200PW 通过了严格的工业级测试标准，具备较高的耐用性和长期稳定性。它能够承受短时间的过载和高电流冲击，适用于对可靠性要求较高的应用场景，如工业自动化、汽车电子和消费类电子产品。

TA200PW 被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关设计，以提高转换效率并减小系统尺寸。在电机控制领域，TA200PW 可用于驱动小型电机、风扇或继电器，提供高效且可靠的开关性能。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS），作为充放电路径的开关元件，帮助实现高效的能量管理。在工业自动化系统中，TA200PW 可用于 PLC 输出模块、传感器驱动电路等。在消费类电子产品中，该 MOSFET 可用于智能家电、电源适配器和 LED 驱动电路中，提供高效、稳定的功率控制功能。

STP10NK20Z, IRFZ44N, FDPF20N20