时间：2025/8/1 17:56:37
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TA1104A 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于电源管理和功率控制领域。该器件采用了先进的沟槽式技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和高功率处理能力，适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A
导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ（在Vgs=10V条件下）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
TA1104A 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，能够在高频率开关应用中实现更高的效率和更低的功耗。其采用的沟槽式结构不仅提升了导电性能，还增强了热稳定性，使得器件在高负载条件下仍能保持良好的工作状态。
此外，该MOSFET具有较强的耐压能力，漏源电压可达60V，适用于多种中高压功率转换电路。TA1104A 还具备较高的栅极电压耐受能力，支持±20V的栅源电压范围，从而在驱动电路设计中提供了更大的灵活性。
该器件的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。TA1104A 在过热和过流条件下表现出良好的鲁棒性，适合在工业级和汽车级应用中使用。
TA1104A 主要用于需要高效功率管理的场合，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器以及各类开关电源模块。其高电流能力和低导通电阻也使其在电动车、储能系统和工业自动化设备中广泛使用。
TKA1104A, IRFP4468PBF, SiHF4410
