时间：2025/8/7 2:48:42
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T9S7241403DH 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频应用中。该器件设计用于高效能电源转换系统，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及工业控制系统等。T9S7241403DH 采用先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。该器件通常封装在小型DFN（Dual Flat No-leads）封装中，具备优异的热管理和空间利用率，适用于紧凑型设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：200A
最大漏-源电压（Vds）：60V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.95mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流（Id）@ 25°C：200A
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：DFN10x12
T9S7241403DH MOSFET具有多个关键特性，使其适用于高性能功率系统。首先，它采用了先进的沟槽栅极技术，有效降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其典型的Rds(on)值为0.95mΩ，在Vgs=10V时可提供极低的压降，有助于降低发热并提升功率密度。此外，该器件具备高电流承载能力，额定连续漏极电流可达200A，适合高功率密度应用，如服务器电源、电信设备和工业电机控制。
其次，T9S7241403DH的开关性能优异，具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使得开关损耗显著降低，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其最大漏-源电压为60V，栅-源电压容限为±20V，确保了在不同工作条件下的稳定性和可靠性。此外，该器件的工作温度范围宽广，可在-55°C至175°C之间正常运行，适应各种恶劣环境条件下的应用需求。
最后，T9S7241403DH采用DFN10x12封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在高密度PCB设计中使用。该封装还支持双面散热，有助于提高热管理效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代电子产品对环保的严格要求。
T9S7241403DH MOSFET广泛应用于多个高功率电子系统中。在电源管理系统中，它常用于大电流DC-DC降压转换器、同步整流器和负载开关，以提高效率并减小电路体积。在工业自动化和电机控制领域，该器件适用于高频率PWM驱动电路，可有效降低开关损耗并提高响应速度。此外，它也适用于电信设备中的电源模块、服务器和存储设备的供电系统，确保高效稳定的能量传输。
在新能源领域，T9S7241403DH可应用于太阳能逆变器、储能系统以及电动车充电模块，其高电流能力和低导通电阻使其成为高效率功率转换的理想选择。同时，该器件也适用于LED照明驱动、电池管理系统（BMS）以及智能电表等需要高可靠性和高效能的电子产品中。由于其优异的热性能和紧凑封装，T9S7241403DH在空间受限的嵌入式系统和便携式设备中也具有良好的适用性。
SiZ240DT, SQJQ124EP, CSD17509Q5B
