T820081403DH 时间：2025/8/6 22:01:53 阅读：18

T820081403DH 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中。该器件采用先进的制造工艺，具备优异的电气特性和热稳定性，适用于各种工业、汽车电子和消费类电子产品中的电源转换和控制电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：60A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.9毫欧（典型值）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大功耗（Pd）：200W
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

T820081403DH 具备多个关键特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的高电流容量和优良的热稳定性使其能够在高负载条件下稳定工作，适应苛刻的工作环境。
　　其次，该MOSFET具备良好的开关性能，能够快速响应栅极控制信号，从而减少开关过程中的能量损耗，提升电源转换效率。同时，其高栅极电压容限（±20V）增强了抗电压波动能力，提高了器件的可靠性。
　　最后，T820081403DH 采用 TO-247 大功率封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）也使其在极端环境条件下依然能够稳定运行。