类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

T820067504DH MOSFET具有多个关键特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高整体系统效率。这对于高电流应用尤为重要，因为它可以减少功率损耗并提高热性能。
　　其次，该器件支持高达120A的连续漏极电流，适用于高功率密度的设计。其高耐压能力（60V）确保了在多种电源转换拓扑中稳定运行，包括同步整流、降压/升压转换器和桥式电路。
　　此外，T820067504DH采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，提供了良好的热管理和电气性能，适合高密度PCB布局。其高功率耗散能力（200W）允许在没有大型散热器的情况下运行，有助于减少整体系统尺寸和成本。
　　该MOSFET还具有优异的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高系统的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围为±20V，适用于常见的10V或12V驱动电路，确保快速开关和低开关损耗。

T820067504DH广泛应用于多个领域的电力电子系统。在电源管理方面，它可用于高效DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。其高电流能力和低导通电阻使其成为电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车控制器的理想选择。
　　在电机控制领域，该器件适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和伺服电机控制器，提供高效的功率切换和可靠的热性能。在工业自动化设备中，T820067504DH可用于驱动高功率继电器、电磁阀和各种执行器。
　　此外，它也适用于太阳能逆变器、储能系统和服务器电源等高可靠性应用，其强大的抗雪崩能力和高耐压特性可确保在恶劣工作条件下稳定运行。

SiR182DP-T1-GE3, IRF1404, STP120N6F7AG, IPP120N6S4-03