T7H8107504DN 时间：2025/8/7 7:09:09 阅读：14

T7H8107504DN 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率电源转换系统，例如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，有助于降低系统损耗并提高整体能效。该器件通常采用表面贴装封装形式，适合自动化装配流程，并具备良好的热性能以适应高功率密度设计的需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

特性

T7H8107504DN MOSFET具备多项显著特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为7.5mΩ，这使得在高电流条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅极结构技术，优化了电场分布，从而提升了器件的开关性能和可靠性。
　　此外，该MOSFET的漏源电压额定值为100V，栅源电压可承受±20V，具备良好的电压耐受能力，适合用于中高压电源转换应用。其最大连续漏极电流可达100A，支持高功率输出设计。
　　在热性能方面，该器件具有高达300W的总功耗能力，能够在高功率密度环境下保持稳定运行。封装设计上，T7H8107504DN采用表面贴装封装形式，便于自动化生产，同时也具备良好的散热性能，有助于提升系统整体的稳定性和寿命。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了在极端工作条件下的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽，兼容主流的10V和12V驱动电路，适用于多种电源拓扑结构，如同步整流、半桥和全桥电路等。

应用

T7H8107504DN MOSFET广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统中。首先，它适用于各种DC-DC转换器设计，例如服务器电源、通信电源和工业电源模块，其低导通电阻和高电流能力有助于提高转换效率并降低温升。
　　其次，该器件常用于电机驱动系统，包括直流无刷电机控制和电动汽车中的功率模块，其高耐压和大电流特性使其能够胜任高负载环境下的开关任务。
　　此外，T7H8107504DN也适用于负载开关电路，例如笔记本电脑、服务器和嵌入式系统的电源管理模块，其快速开关能力和低损耗特性有助于延长电池寿命并提升系统响应速度。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET可作为关键的功率开关器件，参与能量转换和管理。其高可靠性和良好的热管理能力也使其在车载电子系统中得到应用，例如车载充电器（OBC）和48V轻混系统等。
　　最后，该器件也适用于高频开关电源和同步整流电路，支持多种拓扑结构，如Buck、Boost、半桥和全桥等，为工程师提供灵活的设计选择。