类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：80A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大5.4毫欧（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散(Pd)：300W
　　最大漏极功耗(Pd)：300W
　　漏极-源极击穿电压(BVdss)：100V
　　栅极电荷(Qg)：约180nC
　　短路耐受能力：有

T7H8046504DN 是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高效能和高可靠性设计。其主要特性之一是极低的导通电阻（Rds(on)），这使得器件在导通状态下能够减少功率损耗，提高整体效率。此外，该器件能够承受高达100V的漏源电压，适用于多种高压应用。其最大连续漏极电流为80A，在高电流应用中表现出色。
　　这款MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率处理能力的应用。T7H8046504DN 的栅极电荷（Qg）较低，使得器件能够快速开关，从而减少开关损耗。这对于高频率开关应用（如DC-DC转换器和电机控制）至关重要。
　　该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，能够在极端温度环境下稳定工作，适合工业和汽车应用。T7H8046504DN 还具有一定的短路耐受能力，能够在短时间内承受过载和短路情况，提高了系统的可靠性和安全性。
　　此外，T7H8046504DN 的设计使其具有良好的热稳定性和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中也能正常工作。这些特性使得该器件成为电源管理、电力电子和自动化控制等领域中的理想选择。

T7H8046504DN 作为一款高性能的N沟道MOSFET，广泛应用于多个领域。首先，在电源管理方面，该器件常用于DC-DC转换器和开关电源（SMPS），其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效能电源系统中表现出色。其次，在工业自动化领域，T7H8046504DN 被用于电机控制和伺服驱动器，其快速开关特性和高耐压能力使其适合用于高频开关应用。
　　此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如电池管理系统（BMS）、车载充电器和电动助力转向系统（EPS）。其宽工作温度范围和高可靠性确保在极端环境下稳定运行。T7H8046504DN 还适用于太阳能逆变器和储能系统，支持高效的能量转换和管理。
　　在消费电子领域，该器件可用于高性能电源适配器和笔记本电脑充电器，提供高效、稳定的电源解决方案。由于其良好的散热性能和紧凑的封装设计，T7H8046504DN 也非常适合空间受限的应用场景。

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