晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大发射极-基极电压：5V
　　最大基极电流：20mA
　　最大功耗：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　增益带宽：100MHz
　　电流增益（hFE）：典型值110（Ic=2mA时）

T75L02IV晶体管具有低噪声、高增益和快速开关特性，非常适合用于低功耗电子设备中的信号放大和数字开关应用。其SOT-23封装形式占用PCB空间小，便于在高密度电路设计中使用。此外，该晶体管具备良好的热稳定性和可靠性，在较宽的工作温度范围内仍能保持稳定性能。
　　该器件的电流增益（hFE）在典型工作条件下较高，确保信号放大效果良好。同时，其100MHz的增益带宽使其适用于高频信号处理电路。T75L02IV的最大集电极电流为100mA，集电极-发射极击穿电压为30V，具备一定的电压和电流耐受能力，适合多种中低功率应用。
　　由于其低饱和压降和良好的开关特性，T75L02IV在数字电路中常用于驱动LED、小型继电器和逻辑电平转换等任务。同时，该晶体管符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺制造。

T75L02IV晶体管广泛应用于各类电子设备中，包括消费类电子产品、工业控制系统、通信模块以及汽车电子设备。其主要用途包括模拟信号放大、数字开关控制、LED驱动、继电器控制、逻辑电平转换以及传感器信号调理等。
　　在音频放大电路中，T75L02IV可用于前置放大器部分，提供稳定的增益和较低的噪声性能。在数字电路中，该晶体管常用于MOSFET栅极驱动、继电器控制或作为缓冲器使用。此外，由于其高频特性，T75L02IV也适用于射频前端电路中的低噪声放大器（LNA）设计。
　　在电源管理应用中，该晶体管可作为开关元件用于DC-DC转换器或负载开关控制。在汽车电子系统中，T75L02IV可用于控制灯光、风扇或其他低功率执行器的运行。此外，该器件也适用于各种便携式设备中的传感器接口电路，用于信号放大或电平转换。

MMBT3904, BC847, 2N3904, PN2222A