时间：2025/8/7 7:06:23
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T720204504DN 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。该MOSFET采用先进的制造工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）、良好的热稳定性和快速开关特性，适用于各种中高功率电子系统。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：55A
导通电阻（Rds(on)）：约7.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220 或 D2PAK（具体型号可能因厂商封装不同而略有差异）
T720204504DN 的一大核心特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。其Rds(on)值在Vgs=10V时可低至7.5毫欧姆，使其在大电流应用中表现出色。
此外，该MOSFET具备优异的热稳定性，能够承受较高的工作温度，其最高结温可达+175°C，适用于高温环境下运行的电子设备。
该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速开关操作，从而减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
其封装形式通常为TO-220或D2PAK，具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片或PCB上，确保器件在高负载下稳定运行。
在安全性和可靠性方面，该MOSFET具有过热保护和雪崩能量耐受能力，可在极端条件下提供额外的安全保障，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。
T720204504DN 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。其典型应用包括但不限于：开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）中的负载开关、电机驱动电路、LED照明驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高电流承载能力和低导通电阻特性，该器件也广泛应用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）以及服务器电源等对能效和可靠性要求极高的场合。
此外，在电机控制领域，该MOSFET可用于H桥驱动电路中，实现高效、快速的电机方向切换和调速控制。其优异的热性能和高耐压能力也使其成为高可靠性系统设计中的理想选择。
IPB045N10N3 G；IRF3710；STP55NF06；FDP55N06
